[实用新型]一种密封环布局结构有效
| 申请号： | 201620372857.0 | 申请日： | 2016-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN205582915U | 公开（公告）日： | 2016-09-14 |
| 发明（设计）人： | 宋春 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种密封环布局结构，包括至少三层金属线；相邻两层金属线之间连接有介质层及若干导电柱；所述导电柱嵌于所述介质层中，且所述导电柱之间交错排列，从而消除了金属层间介质层通道，阻断了剪切应力的传导，有效降低了芯片边缘分层的概率。其中，所述导电柱之间交错排列既可以是同一层介质层中的相邻两列导电柱之间在平行于金属线方向上交错排列，也可以是相邻两层介质层中两层导电柱之间在平行于金属线方向上交错排列。在第一种方案中，相邻两列导电柱之间交错排列还可以增大导电柱之间的最小间距，降低导电柱周围介质层由于与金属应力相反而鼓起的风险，从而进一步降低分层概率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 密封 布局 结构 | ||
【主权项】：
一种密封环布局结构，所述密封环布局结构包括至少三层金属线；相邻两层金属线之间连接有介质层及若干导电柱；所述导电柱嵌于所述介质层中；其特征在于：所述导电柱之间交错排列。
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