[实用新型]一种采用MOSFET的驱动电路

摘要

本实用新型公开了一种采用MOSFET的驱动电路，包括三极管Q1、电阻R1、MOS管Q4、二极管D1、电容C1和三极管Q2，所述电阻R1一端连接控制信号Vi电阻R1另一端连接三极管Q1基极，三极管Q1发射极接地，三极管Q1集电极分别连接电阻R2和电阻R3，电阻R3另一端连接三极管Q2基极，三极管Q2发射极分别连接电源VCC、电阻R2另一端和二极管D4正极，二极管D4负极连接MOS管Q4的D极，三极管Q2集电极分别连接二极管D3正极、三极管Q3基极和电阻R4。本实用新型提供一种采用电平控制MOSFET开关的驱动电路，栅‑源极之间断路连接，能耗低，节能性好。

主权项

一种采用MOSFET的驱动电路，包括三极管Q1、电阻R1、MOS管Q4、二极管D1、电容C1和三极管Q2，其特征在于，所述电阻R1一端连接控制信号Vi电阻R1另一端连接三极管Q1基极，三极管Q1发射极接地，三极管Q1集电极分别连接电阻R2和电阻R3，电阻R3另一端连接三极管Q2基极，三极管Q2发射极分别连接电源VCC、电阻R2另一端和二极管D4正极，二极管D4负极连接MOS管Q4的D极，三极管Q2集电极分别连接二极管D3正极、三极管Q3基极和电阻R4，电阻R4另一端分别连接三极管Q3集电极、二极管D2负极和电阻R6，二极管D2正极连接二极管D1正极，二极管D1负极分别连接电容C1、电阻R5、电阻R6另一端和MOS管Q4的G极，电阻R5另一端连接二极管D3负极，电容C1另一端连接三极管Q3发射极，MOS管Q4的S极连接输出端Vo。