[实用新型]一种用于MOCVD反应器的气体混合装置有效
| 申请号： | 201620260801.6 | 申请日： | 2016-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN205473975U | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 杜志游;周宁;张昭;张永煦 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;徐雯琼 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于MOCVD反应器的气体混合装置，包括：一进气体管道包括第一端和第二端，第一端包括一个第一气体输入管道用于输入第一气体，进气管道第二端连接到一个气体混合管道的第一端，所述气体混合管道包括至少两个转折管道和一个第二气体管道，所述气体混合管道的第二端连接到一个第三气体管道，所述第三气体管道上包括至少一个气体输出管道用于输出混合后的工艺气体，其特征在于，所述第一气体管道的第一端和第二端之间的侧壁上还包括一个第二气体输入管道用于输入第二气体，且第一气体流量大于所述第二气体流量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 mocvd 反应器 气体 混合 装置 | ||
【主权项】：
一种用于MOCVD反应器的气体混合装置，包括：一进气体管道包括第一端和第二端，所述第一端包括一个第一气体输入管道用于输入第一气体，进气管道的第二端连接到一个气体混合管道的第一端，所述气体混合管道包括至少两个转折管道，所述气体混合管道的第二端连接到一个第三气体管道，所述第三气体管道上包括至少一个气体输出管道用于输出混合后的工艺气体，其特征在于，所述第一气体管道的第一端和第二端之间的侧壁上还包括一个第二气体输入管道用于输入第二气体，且第一气体流量大于所述第二气体流量。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
