[实用新型]晶圆级封装装置

摘要

本实用新型涉及晶圆级封装装置。本实用新型提供了一种晶圆级封装装置，包括：半导体衬底，包括多个单晶声谐振器设备，每个所述设备具有第一电极部件、第二电极部件和覆盖的钝化材料，至少一个所述设备待配置外部连接；下部金属材料，所述下部金属材料覆盖钝化材料且覆盖第一区域和第二区域，使得第一电极部件和第二电极部件均与下部金属材料电气和物理接触；铜柱互连结构，所述铜柱互连结构被配置成使用沉积工艺填充第一区域和第二区域，以形成覆盖第一电极部件的第一铜柱结构和覆盖第二电极部件的第二铜柱结构；以及覆盖第一铜柱结构的第一焊接凸块结构和覆盖第二铜柱结构的第二焊接凸块结构，用于待被配置外部连接的所述单晶声谐振器设备。

主权项

一种晶圆级封装装置，其特征在于，所述装置包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括多个单晶声谐振器设备，每个所述设备具有第一电极部件、第二电极部件和覆盖的钝化材料，至少一个所述设备待配置外部连接；对于待配置外部连接的至少一个所述设备，覆盖所述钝化材料的再钝化材料，所述再钝化材料具有使所述第一电极部件暴露的第一区域和使所述第二电极部件暴露的第二区域；下部金属材料，所述下部金属材料覆盖所述钝化材料且覆盖所述第一区域和所述第二区域，使得所述第一电极部件和所述第二电极部件均与所述下部金属材料电气和物理接触；铜柱互连结构，所述铜柱互连结构被配置成使用沉积工艺填充所述第一区域和所述第二区域，以形成覆盖所述第一电极部件的第一铜柱结构和覆盖所述第二电极部件的第二铜柱结构；以及覆盖所述第一铜柱结构的第一焊接凸块结构和覆盖所述第二铜柱结构的第二焊接凸块结构，用于待被配置所述外部连接的所述单晶声谐振器设备。