[发明专利]制作半导体元件的方法有效
| 申请号： | 201611258720.3 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108269806B | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 张峰溢;邹世芳;李甫哲;郭明峰;陈立强 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种制作半导体元件的方法。首先提供一基底，该基底上具有一存储区，然后形成一沟槽于基底内，形成一阻障层于沟槽内，形成一导电层于阻障层上，进行一第一蚀刻制作工艺去除部分导电层，之后再进行一第二蚀刻制作工艺去除部分阻障层，其中第二蚀刻制作工艺包含一无等离子体蚀刻制作工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻制作工艺 阻障层 基底 半导体元件 导电层 去除 等离子体蚀刻 制作工艺 制作 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底，该基底上具有一存储区；形成一沟槽于该基底内；形成一阻障层于该沟槽内；形成一导电层于该阻障层上；进行一第一蚀刻制作工艺去除部分该导电层；以及进行一第二蚀刻制作工艺去除部分该阻障层，其中该第二蚀刻制作工艺包含：通入一离子化的第一气体至一反应室；利用一离子过滤器去除该气体中的电荷以形成一第二气体，该第二气体为一不带有电荷的气体；以及利用该第二气体去除部分该阻障层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
