[发明专利]一种在后道互连中刻蚀埋层的方法

摘要

本发明公开了一种在后道互连中刻蚀埋层的方法。通过在埋层金属刻蚀过程中引入氧化膜掩膜阻止了刻蚀气体对通孔或沟槽内的位于金属铜与低k介质层之间的埋层金属的进一步刻蚀，从而既能确保低k介质钝化层表面的埋层金属被刻蚀干净，又能够避免金属铜与介质间的空洞的形成。

主权项

1.一种在后道互连中刻蚀埋层的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：形成后道互连膜层结构，所述后道互连膜层结构由下到上依次包括低k介质层，低k介质钝化层，埋层金属层；其中，所述后道互连膜层结构中包含位于所述低k介质层和低k介质钝化层的通孔或沟槽，所述埋层金属层覆盖在所述低k介质钝化层上表面及所述通孔或沟槽的侧壁和底部，覆盖有所述埋层金属层的通孔或沟槽中填充有金属铜；步骤S02：刻蚀去除部分埋层金属层，使得通孔或沟槽顶部的高出所述金属铜上表面的埋层金属层被刻蚀干净；步骤S03：在所述低k介质钝化层上的所述埋层金属层上及填充有所述金属铜的通孔或沟槽的顶部和侧壁淀积一掩膜层；步骤S04：刻蚀去除所述低k介质钝化层上和所述金属铜上的掩膜层，保留通孔或沟槽内的埋层金属层的顶部的掩膜；步骤S05：刻蚀去除所述低k介质钝化层表面剩余的埋层金属层；步骤S06：去除通孔或沟槽内的埋层金属层的顶部的掩膜。