[发明专利]金属埋层凸起的去除方法以及空气隙的制备方法有效
| 申请号： | 201611235875.5 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN106803495B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 姚嫦娲;肖慧敏 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 吴世华;陈慧弘<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种金属埋层凸起的去除方法以及空气隙的制备方法，利用了高表面张力的湿法刻蚀将金属埋层凸起刻蚀掉，为了避免刻蚀药液对于空气隙结构中的介质层以及金属埋层的过多刻蚀，采用提高刻蚀药液的表面张力方法，使得刻蚀药液只停留在衬底表面包括金属埋层表面，阻止刻蚀药液进入到待形成空气隙的沟槽中，从而在确保空气隙结构不被破坏的前提下，成功去除金属埋层凸起，实现了降低介质层K值的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 凸起 去除 方法 以及 空气 制备 | ||
【主权项】：
1.一种金属埋层凸起的去除方法，其特征在于，包括；/n步骤01：提供一具有金属埋层的衬底；其中，衬底上具有介质层、位于介质层中的沟槽、与沟槽相间设置的金属互连线；金属埋层位于金属互连线底部和侧壁表面，金属埋层的顶部高出金属互连线的顶部的部分为金属埋层凸起；/n步骤02：采用具有高表面张力的刻蚀药液，该刻蚀药液与金属互连线、介质层不润湿；该刻蚀药液与金属埋层凸起接触后，仅将金属埋层凸起刻蚀掉，使得金属埋层顶部与金属互连线顶部齐平；其中，该高表面张力的刻蚀药液为与金属互连线、金属埋层和介质层的接触角大于90度的刻蚀药液。/n
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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