[发明专利]发光二极体晶片有效
| 申请号： | 201611234809.6 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108258096B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 吴俊德;罗玉云 | 申请（专利权）人： | 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 开曼群岛大开曼岛,大展馆商业中心,奥林德道*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极体晶片，包括P型半导体层、发光层、N型半导体层及第一金属电极。发光层配置于P型半导体层与N型半导体层之间。N型半导体层包括第一N型半导体子层、第二N型半导体子层及欧姆接触层，其中欧姆接触层配置于第一N型半导体子层与第二N型半导体子层之间。第一金属电极配置于第一N型半导体子层上，第一N型半导体子层的位于第一金属电极与欧姆接触层之间的区域中含有从第一金属电极扩散而来的金属原子，以使第一金属电极与欧姆接触层形成欧姆接触。本发明的发光二极体晶片具有高出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 二极体 晶片 | ||
【主权项】：
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