[发明专利]基于垂直测试图形的欧姆接触区方块电阻测试方法有效
申请号: | 201611234089.3 | 申请日: | 2016-12-28 |
公开(公告)号: | CN106783661B | 公开(公告)日: | 2019-04-23 |
发明(设计)人: | 郑雪峰;李小炜;侯晓慧;王颖哲;王冲;马晓华;郝跃 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人: | 王品华;朱红星 |
地址: | 710071 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于垂直测试图形的欧姆接触区方块电阻测试方法。其实现方案是:1.制备一组横向与纵向垂直交叉的欧姆接触测试图形,横向测试图形中包括第一电极、第五电极、第四电极,纵向测试图形中包括第二电极、第五电极、第三电极;2.分别测试横向、纵向测试图形中第一电极与第四电极之间的电阻值,第二电极与第三电极之间的电阻值;3.将纵向测试图形所得的电阻值乘以系数L/W与横向测试图形所得的电阻值做差,将其差值除以系数1‑L/W,得到测试图形中欧姆接触区的方块电阻,其中L和W分别为横、纵向测试图形第五电极的长度。本发明测试图形简单易制作,测试速度快,结果准确可靠,可用于高电子迁移率异质结晶体管的制作。 | ||
搜索关键词: | 基于 垂直 测试 图形 欧姆 接触 方块 电阻 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于垂直测试图形的欧姆接触区方块电阻测试方法,包括如下步骤:(1)制备欧姆接触测试图形:在半导体体材料上先淀积金属电极,再采用高温退火的方法制备出一组相互垂直交叉的横向测试图形和纵向测试图形,每种测试图形包括三个欧姆电极,其中:横向测试图形中的三个欧姆电极分别为:长度为a的第一电极、长度为L的第五电极、长度为a的第四电极,该第一电极与第五电极之间的距离为L15,第五电极与第四电极之间距离为L54,电极宽度均为W;纵向测试图形中的三个欧姆电极分别为:长度为a的第二电极、长度为W的第五电极、长度为a的第三电极,该第二电极与第五电极之间的距离为L25,第五电极与第三电极之间距离为L53,电极宽度均为L,且W≠L,L25=L15,L54=L53;(2)方块电阻的测量:(2a)在横向测试图形的第一电极与第四电极之间施加偏置电压,并在回路中串联电流表,读取电流表的值,利用I‑V关系计算得到第一电极与第四电极之间的电阻值RL1:RL1=V1/I1;其中RL1为横向测试图形中第一电极与第四电极之间的电阻值,V1为横向测试图形中第一电极与第四电极上所加的电压,I1为横向测试图形中由第一电极、第五电极、第四电极及有源区所构成的回路中的电流值;(2b)在纵向测试图形的第二电极与第三电极之间施加偏置电压,并在回路中串联电流表,读取电流表的值,利用I‑V关系计算得到第二电极与第三电极之间的电阻值RL2:RL2=V2/I2;其中RL2为纵向测试图形中第二电极与第三电极之间的电阻值,V2为纵向测试图形中第二电极与第三电极上所加的电压,I2为纵向测试图形中由第二电极、第五电极、第三电极及有源区所构成的回路中的电流值;(2c)根据(2a)和(2b)中所测得的两个电阻值RL1和RL2,构建每种测试图形欧姆接触区的方块电阻计算公式:Rshc=(RL2L/W‑RL1)/(1‑L/W)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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