[发明专利]OLED显示装置的双层栅极结构的制作方法有效
申请号: | 201611219662.3 | 申请日: | 2016-12-26 |
公开(公告)号: | CN106711088B | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | 赵瑜 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种OLED显示装置的双层栅极结构的制作方法,提供包括第一曝光区、设于第一曝光区外侧并与其相邻的第二曝光区、及剩余的第三曝光区的半色调掩膜板,利用该半色调掩膜板在第一金属层上形成包括分别对应第一、及第二曝光区的第一、及第二光阻区的第一光阻图案,且第一光阻图案在第一光阻区的厚度大于在第二光阻区的厚度,接着去除第二光阻区的第一光阻图案,以剩余的第一光阻图案为遮挡蚀刻第一金属层形成第一栅极,在后续制程中通过同一道半色调掩膜板在第二金属层上形成位于第一栅极上方且尺寸与第一光阻图案相同的第二光阻图案,并以第二光阻图案为遮挡蚀刻第二金属层,形成位于第一栅极上方的第二栅极,操作简单,生产成本低。 | ||
搜索关键词: | 光阻图案 曝光区 光阻区 半色调掩膜板 蚀刻 第二金属层 第一金属层 双层栅极 遮挡 生产成本低 去除 制程 制作 | ||
【主权项】:
1.一种OLED显示装置的双层栅极结构的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、提供一基板(100),在所述基板(100)上沉积金属材料,形成第一金属层(200’);步骤2、提供一半色调掩膜板(900);所述半色调掩膜板(900)包括第一曝光区(910)、位于所述第一曝光区(910)外侧与第一曝光区(910)相邻的第二曝光区(920)、及除第一曝光区(910)及第二曝光区(920)以外剩余的第三曝光区(930);步骤3、在第一金属层(200’)上涂布光阻材料,形成第一光阻层,利用所述半色调掩膜板(900)对第一光阻层进行曝光显影,得到第一光阻图案(300);所述第一光阻图案(300)包括对应第一曝光区(910)的第一光阻区(310)、及对应第二曝光区(920)的第二光阻区(320);所述第一光阻图案(300)在第一光阻区(310)的厚度大于在第二光阻区(320)的厚度;步骤4、对第一光阻图案(300)进行灰化,去除第二光阻区(320)的第一光阻图案(300),减薄第一光阻区(310)的第一光阻图案(300),以剩余的第一光阻图案(300)为遮挡对第一金属层(200’)进行蚀刻,形成第一栅极(200),去除剩余的第一光阻图案(300);步骤5、在所述第一栅极(200)、及基板(100)上形成栅极绝缘层(400);步骤6、在所述栅极绝缘层(400)上沉积金属材料,形成第二金属层(500’),在第二金属层(500’)上涂布光阻材料,形成第二光阻层,利用所述半色调掩膜板(900)对第二光阻层进行曝光显影,得到位于所述第一栅极(200)上方的与第一光阻图案(300)尺寸相同的第二光阻图案(600);步骤7、以第二光阻图案(600)为遮挡对第二金属层(500’)进行蚀刻,形成第二栅极(500)。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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