[发明专利]图形测试结构及其制作方法、测量图形尺寸的方法有效
| 申请号： | 201611207746.5 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106783659B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 洪培真;唐兆云;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种图形测试结构及其制作方法、测量图形尺寸的方法。本发明图形测试结构包括形成于半导体衬底上的待测量图形以及形成于半导体衬底上的辅助测量图形，所述辅助测量图形至少位于所述待测量图形相对的两侧，且所述辅助测量图形与待测量图形的最大设计距离小于100微米。本发明解决了传统测量方法无法精确测量毫米级及更大尺寸的图形的尺寸的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 测试 结构 及其 制作方法 测量 尺寸 方法 | ||
【主权项】：
1.一种图形测试结构，其特征在于，包括：形成于半导体衬底上的待测量图形；形成于半导体衬底上的辅助测量图形，所述辅助测量图形至少位于所述待测量图形相对的两侧，且所述辅助测量图形与待测量图形的最大设计距离小于100微米，通过在待测量图形两侧设置辅助测量图形，测量辅助测量图形的特定位置到所述待测量图形对应边缘的实际距离之和，并将所述实际距离之和与设计值进行比较，来判断所述待测量图形的尺寸是否符合设计要求。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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