[发明专利]一种门极换流晶闸管及其制备方法有效
| 申请号： | 201611205266.5 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN108242465B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 陈勇民;颜骥;陈芳林;邱凯兵;蒋谊;郭润庆 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/745 | 分类号： | H01L29/745;H01L29/10;H01L21/332 |
| 代理公司： | 北京聿华联合知识产权代理有限公司 11611 | 代理人： | 朱绘;张文娟 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种门极换流晶闸管及其制备方法。本发明的晶闸管的层状结构竖直方向自下而上依次为P |
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| 搜索关键词： | 一种 换流 晶闸管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种门极换流晶闸管，其特征在于，所述晶闸管的层状结构竖直方向自下而上依次为P+透明发射阳极、N′缓冲层、N‑基区、P基区、P+基区以及半埋于P+基区顶部的N+发射区，其中：所述N+发射区覆盖所述P+基区顶部的一部分；门极G位于所述P+基区顶部所述N+发射区没有覆盖的部分上；阴极K位于所述N+发射区顶部；阳极位于所述P+透明发射阳极底部；所述P+基区包含水平并排的P1+短基区以及P2+短基区，其中，所述P1+短基区位于所述门极G正下方，所述P2+短基区位于所述N+发射区正下方，所述P1+短基区的掺杂浓度低于所述P2+短基区的掺杂浓度。
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