[发明专利]基于二硫化钼的表面等离子体激元的纳米激光器

摘要

本发明公开了一种基于二硫化钼的表面等离子体激元的纳米激光器，包括：半导体纳米线、上SiO₂层、MoS₂层、下SiO₂层、金属纳米线以及包裹金属纳米线的SiO₂层，其中：上SiO₂层和下SiO₂层的横向中间位置均设置有空气槽，上SiO₂层和下SiO₂层之间被MoS₂层间隔；半导体纳米线位于上SiO₂层之上，并与上SiO₂层横向中间位置的空气槽通过两个交点相连；金属纳米线位于下SiO₂层下方，且包裹在SiO₂层内部，金属纳米线与下SiO₂层横向中间部分的空气槽通过一个交点相连。本发明的能量损耗小，可以在室温下实现，阈值更小，能合理平衡能量损耗与局域模限制，方便制造，尺寸更小，阈值更小，综合性能更优。

主权项

1.一种基于二硫化钼的表面等离子体激元的纳米激光器，其特征在于，包括：半导体纳米线(1)、上SiO2层(2)、MoS2层(3)、下SiO2层(4)、金属纳米线(5)以及包裹金属纳米线(5)的SiO2层(6)，其中：上SiO2层(2)和下SiO2层(4)的横向中间位置均设置有空气槽，上SiO2层(2)和下SiO2层(4)之间被MoS2层(3)间隔；半导体纳米线(1)位于上SiO2层(2)之上，并与上SiO2层(2)横向中间位置的空气槽通过两个交点相连；金属纳米线(5)位于下SiO2层(4)下方，且包裹在SiO2层(6)内部，金属纳米线(5)与下SiO2层(4)横向中间部分的空气槽通过一个交点相连。