[发明专利]动态随机存取存储器元件的形成方法在审
| 申请号： | 201611198384.8 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108231690A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 陈意维;郑存闵;鄒世芳;蔡志杰;张凯钧 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种随机动态处理存储器元件的形成方法，其包含以下步骤。首先，在基底形成多个主动区域，主动区域沿着第一方向延伸。接着，在基底内形成多个埋藏式栅极，埋藏式栅极沿着第二方向延伸，第二方向横跨第一方向。然后，在埋藏式栅极上形成多个位线，位线沿着第三方向延伸，第三方向横跨第一方向与第二方向，各位线包含多晶硅层、阻障层以及金属层，其中，阻障层是由一射频物理气相沉积制作工艺所形成。 | ||
| 搜索关键词： | 方向延伸 埋藏式 主动区域 阻障层 基底 横跨 动态随机存取存储器元件 物理气相沉积 处理存储器 多晶硅层 随机动态 制作工艺 金属层 个位 射频 位线 | ||
【主权项】：
1.一种随机动态处理存储器元件的形成方法，其特征在于包含：在一基底形成多个主动区域，该些主动区域沿着一第一方向延伸；在该基底内形成多个埋藏式栅极，该些埋藏式栅极沿着一第二方向延伸，该第二方向横跨该第一方向；以及在该些埋藏式栅极上形成多个位线，该些位线沿着一第三方向延伸，该第三方向横跨该第一方向与该第二方向，各该位线包含多晶硅层、阻障层以及金属层，其中，该阻障层是由一射频物理气相沉积制作工艺所形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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