[发明专利]动态随机存取存储器元件的形成方法在审
| 申请号： | 201611198384.8 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108231690A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 陈意维;郑存闵;鄒世芳;蔡志杰;张凯钧 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 方向延伸 埋藏式 主动区域 阻障层 基底 横跨 动态随机存取存储器元件 物理气相沉积 处理存储器 多晶硅层 随机动态 制作工艺 金属层 个位 射频 位线 | ||
1.一种随机动态处理存储器元件的形成方法，其特征在于包含：
在一基底形成多个主动区域，该些主动区域沿着一第一方向延伸；
在该基底内形成多个埋藏式栅极，该些埋藏式栅极沿着一第二方向延伸，该第二方向横跨该第一方向；以及
在该些埋藏式栅极上形成多个位线，该些位线沿着一第三方向延伸，该第三方向横跨该第一方向与该第二方向，各该位线包含多晶硅层、阻障层以及金属层，其中，该阻障层是由一射频物理气相沉积制作工艺所形成。
2.依据权利要求1所述的随机动态处理存储器元件的形成方法，其特征在于，该阻障层包含一双层结构。
3.依据权利要求1所述的随机动态处理存储器元件的形成方法，其特征在于，该阻障层包含钛层与氮化钛层。
4.依据权利要求1所述的随机动态处理存储器元件的形成方法，其特征在于，该氮化钛层的密度为4.7至5.4克/立方公分。
5.依据权利要求1所述的随机动态处理存储器元件的形成方法，其特征在于，该氮化钛层的厚度为20至30埃(angstroms)。
6.依据权利要求1所述的随机动态处理存储器元件的形成方法，其特征在于还包含：
在该阻障层形成之前，先进行一预清洁制作工艺。
7.依据权利要求1所述的随机动态处理存储器元件的形成方法，其特征在于，进行一化学气相沉积制作工艺来形成该多晶硅层。
8.依据权利要求1所述的随机动态处理存储器元件的形成方法，其特征在于，进行一物理气相沉积制作工艺来形成该金属层。
9.依据权利要求1所述的随机动态处理存储器元件的形成方法，其特征在于，在该位线下方、两该埋藏式栅极之间形成至少一插塞，该插塞与该多晶硅层一体成形。
10.依据权利要求1所述的随机动态处理存储器元件的形成方法，其特征在于，该第一方向不垂直于该第二方向与该第三方向。
11.依据权利要求1所述的随机动态处理存储器元件的形成方法，其特征在于，该射频物理气相沉积制作工艺在一高压环境中进行。
12.依据权利要求11所述的随机动态处理存储器元件的形成方法，其特征在于，该射频物理气相沉积制作工艺是在100毫托至150毫托的压力范围下进行。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
