[发明专利]动态随机存取存储器元件的形成方法

说明书

本发明公开一种随机动态处理存储器元件的形成方法，其包含以下步骤。首先，在基底形成多个主动区域，主动区域沿着第一方向延伸。接着，在基底内形成多个埋藏式栅极，埋藏式栅极沿着第二方向延伸，第二方向横跨第一方向。然后，在埋藏式栅极上形成多个位线，位线沿着第三方向延伸，第三方向横跨第一方向与第二方向，各位线包含多晶硅层、阻障层以及金属层，其中，阻障层是由一射频物理气相沉积制作工艺所形成。

技术领域

本发明涉及一种存储器元件的形成方法，尤其是涉及一种随机动态处理存储器元件的形成方法。

背景技术

随着各种电子产品朝小型化发展的趋势，动态随机存取存储器(dynamic randomaccess memory,DRAM)单元的设计也必须符合高集成度及高密度的要求。对于一具备凹入式栅极结构的DRAM单元而言，由于其可以在相同的半导体基底内获得更长的载流子通道长度，以减少电容结构的漏电情形产生，因此在目前主流发展趋势下，其已逐渐取代仅具备平面栅极结构的DRAM单元。

一般来说，具备凹入式栅极结构的DRAM单元会包含一晶体管元件与一电荷贮存装置，以接收来自于位线及字线的电压信号。然而，受限于制作工艺技术之故，现有具备凹入式栅极结构的DRAM单元仍存在有许多缺陷，还待进一步改良并有效提升相关存储器元件的效能及可靠度。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种随机动态处理存储器元件的形成方法，其是利用单一制作工艺而在其位线内形成密度高且厚度较小的阻障层，由此，在制作工艺简化的前提下降低该阻障层的阻值。

为达上述目的，本发明的一实施例提供一种随机动态处理存储器元件，其包含以下步骤。首先，在一基底形成多个主动区域，该些主动区域沿着一第一方向延伸。然后，在该基底内形成多个埋藏式栅极，该些埋藏式栅极沿着一第二方向延伸，该第二方向横跨该第一方向。最后，在该些埋藏式栅极上形成多个位线，该些位线沿着一第三方向延伸，该第三方向横跨该第一方向与该第二方向，各该位线包含一多晶硅层、一阻障层以及一金属层，其中，该阻障层是由一射频物理气相沉积制作工艺所形成。

本发明的随机动态处理存储器元件的形成方法，是利用射频物理气相沉积制作工艺形成该随机动态处理存储器元件中一位线的阻障层。由此，使该阻障层可具有薄化的厚度与优化的密度，例如是达到约20至30埃的厚度与约4.7至5.4克/立方公分的密度，因而可使该位线具有较低的阻值与较小的整体厚度。同时，本发明的形成方法还具有制作工艺简化的效果。

附图说明

图1至图9为本发明较佳实施例中随机动态处理存储器元件的形成方法示意图；其中

图1为本发明的随机动态处理存储器元件的俯视图；

图2至图7为形成随机动态处理存储器元件的步骤剖面示意图；

图8为图1中沿着切线A-A’的剖面示意图；以及

图9为图1中沿着切线B-B’的剖面示意图。

其中，附图标记说明如下：

10 动态随机存取存储器元件

100 基底

101 主动区

102 存储区(记忆体区)

104 周边区

106、105 浅沟绝缘

108 沟槽

110 字线(字符线)

112 介电层