[发明专利]单晶硅平收尾方法及制备方法有效
| 申请号： | 201611197875.0 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN106637402B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 刘聪贤;刘辉;王彦玉;朱眉清 | 申请（专利权）人： | 卡姆丹克太阳能（江苏）有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 226000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及单晶硅平收尾方法及制备方法，平收尾方法包括：关闭自动温度控制系统，停止坩埚上升；手动升温10～20℃，晶体提拉速度降低至0.1～0.4mm/min，保持晶体继续生长20～30min，晶体与固液界面接触的一端由凹面生长为平面；关闭晶体提拉速度的自动控制系统，手动降低提拉速度至小于0.1mm/min，保持晶体继续生长20～30min，晶体与固液界面接触的一端由平面生长为凸面；将坩埚一次性下降20～50mm，使晶体脱离坩埚内熔硅液面，降低晶体转速和坩埚转速；晶体降温，继续提拉晶体获得产品。本发明可减少熔硅的耗用量，缩短单晶硅的制备周期，提高单晶硅合格品的长度和重量以及成品的合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 提拉 坩埚 收尾 固液界面 制备 生长 自动温度控制系统 合格品 自动控制系统 晶体转速 平面生长 熔硅液面 速度降低 制备周期 坩埚转速 一次性 凹面 熔硅 凸面 合格率 脱离 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅平收尾方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤S01：关闭自动温度控制系统，将坩埚的运动上升速度降为零；步骤S02：手动升温10～20℃，晶体的提拉速度降低至0.1～0.4mm/min，保持晶体继续生长20～30min，此时晶体与固液界面接触的一端由凹面生长为平面；步骤S03：关闭晶体提拉速度的自动控制系统，手动调节晶体的提拉速度，使得晶体的提拉速度小于0.1mm/min，保持晶体继续生长20～30min，此时晶体与固液界面接触的一端由平面生长为凸面；步骤S04：将坩埚一次性下降20～50mm，使得晶体脱离坩埚内熔硅液面，然后降低晶体转速和坩埚转速；步骤S05：晶体降温，继续提拉晶体获得产品。
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