[发明专利]一种制造超小型磁性随机存储记忆单元的方法在审
| 申请号： | 201611191871.1 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108232000A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 肖荣福;张云森 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/00 | 分类号： | H01L43/00;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造超小型磁性随机存储记忆单元的方法，首先采用刻蚀技术对记忆层进行刻蚀；在刻蚀记忆层的时候，并不完全刻蚀记忆层使之留下超薄记忆层在势垒层上；然后采用氧化工艺，对刻蚀后暴露出来的记忆层周边进行氧化。由于采用了刻蚀和氧化并用的方法，不仅缩小了记忆层的导电截面积，而且彻底消除了磁性随机存储器记忆层和参考层短路通道的形成，有利于MRAM回路磁性性能、电学性能和产品良率的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆层 刻蚀 记忆单元 随机存储 超小型 磁性随机存储器 产品良率 电学性能 短路通道 刻蚀技术 氧化工艺 参考层 势垒层 导电 制造 并用 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种制造磁性随机存储记忆单元的方法，其特征在于，在刻蚀记忆层时不完全刻蚀而留下超薄记忆层，然后对所述超薄记忆层周边进行氧化。
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