[发明专利]改善粘附性的方法有效
| 申请号： | 201611191831.7 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN107039267B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 凯瑟琳·克鲁克;斯蒂芬·R·伯吉斯;安德鲁·普赖斯 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/316;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
根据本发明，提供了一种改善半导体衬底与介电层之间的粘附性的方法，包括以下步骤：通过第一等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在所述半导体衬底上沉积二氧化硅粘附层；和通过第二PECVD工艺将所述介电层沉积到所述粘附层上；其中，在没有O |
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| 搜索关键词： | 改善 粘附 方法 | ||
【主权项】：
一种提高半导体衬底与介电层之间的粘附性的方法，包括以下步骤：通过第一等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在所述半导体衬底上沉积二氧化硅粘附层；和通过第二PECVD工艺将所述介电层沉积到所述粘附层上；其中，在没有O2或者以250sccm或更低的流速将O2引入所述工艺的情况下，在包含原硅酸四乙酯(TEOS)的气体气氛中进行所述第一PECVD工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
