[发明专利]改善粘附性的方法

权利要求书

1.一种提高半导体衬底与介电层之间的粘附性的方法，包括以下步骤：

通过第一等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺在所述半导体衬底上沉积二氧化硅粘附层；和

通过第二PECVD工艺将所述介电层沉积到所述粘附层上；

其中，在没有O₂或者以250sccm或更低的流速将O₂引入所述工艺的情况下，在包含原硅酸四乙酯(TEOS)的气体气氛中进行所述第一PECVD工艺。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，以100sccm或更低的流速将O₂引入所述工艺中。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，以10sccm或更低的流速将O₂引入所述工艺中。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述半导体衬底是硅。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述介电层是含硅材料。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述介电层是氮化硅、氧化硅或碳化硅。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述第一PECVD工艺首先使用第一RF信号来产生等离子体，其中，所述第一RF信号具有小于400kHz的频率。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，在包含H₂的气体气氛中进行所述第一PECVD工艺。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，以500sccm～1200sccm的流速将H₂引入所述第一PECVD工艺中。

10.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述二氧化硅粘附层具有1000nm或更小的厚度。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述二氧化硅粘附层具有200nm或更小的厚度。

12.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述粘附层具有至少0.3％的CH_x:SiO比，所述CH_x:SiO比是通过比较与CH_x和SiO吸收相关的由FTIR获得的峰面积而算出的，其中x为1～3。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述粘附层具有至少3％的CH_x:SiO比。

14.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，在3.0Torr～4.0Torr的压力下进行所述第一PECVD工艺。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，在2.5Torr～3.5Torr的压力下进行所述第一PECVD工艺。

16.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，在100℃～200℃的温度下进行所述第一PECVD工艺。

17.一种包括半导体衬底、介电层和在所述半导体衬底与所述介电层之间形成的二氧化硅粘附层的结构，所述结构通过权利要求1至16中任一项所述的方法进行制造。

18.一种包括半导体衬底、介电层和在所述半导体衬底与所述介电层之间形成的二氧化硅粘附层的结构，其中，所述粘附层具有至少0.3％的CH_x:SiO比，所述CH_x:SiO比是通过比较与CH_x和SiO吸收相关的由FTIR获得的峰面积而算出的，其中x为1～3。

19.根据权利要求18所述的结构，其中，所述粘附层具有至少3％的CH_x:SiO比。