[发明专利]用于可重构多层全息天线的Si基SPiN二极管制备方法在审
| 申请号： | 201611184784.3 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106654523A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪;张亮 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01Q1/22 | 分类号： | H01Q1/22;H01Q1/36;H01Q1/50;H01Q5/321;H01L21/329;H01L29/868 |
| 代理公司： | 西安智萃知识产权代理有限公司61221 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于可重构多层全息天线的Si基SPiN二极管制备方法，可重构多层全息天线(1)包括半导体基片(11)、天线模块(13)、第一全息圆环(15)及第二全息圆环(17)；所述天线模块(13)、所述第一全息圆环(15)及所述第二全息圆环(17)均包括依次串接的Si基SPiN二极管串，所述SPiN二极管制备方法包括选取SOI衬底；刻蚀SOI衬底形成隔离槽，填充隔离槽形成隔离区；刻蚀SOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；在P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成P型有源区和N型有源区；在SOI衬底上形成引线，采用本方法能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能SPiN二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 可重构 多层 全息 天线 si spin 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于可重构多层全息天线的Si基SPiN二极管制备方法，其特征在于，所述可重构多层全息天线(1)包括：半导体基片(11)、天线模块(13)、第一全息圆环(15)及第二全息圆环(17)；所述天线模块(13)、所述第一全息圆环(15)及所述第二全息圆环(17)均采用半导体工艺制作于所述半导体基片(11)上，其中，所述天线模块(13)、所述第一全息圆环(15)及所述第二全息圆环(17)均包括依次串接的Si基SPiN二极管串；所述Si基SPiN二极管串包括多个串行连接的SPiN二极管，且所述SPiN二极管制备方法包括步骤如下：(a)选取SOI衬底；(b)刻蚀所述SOI衬底形成隔离槽，填充所述隔离槽形成隔离区，所述隔离槽的深度大于等于所述SOI衬底的顶层硅的厚度；(c)刻蚀所述SOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；(d)在所述P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成P型有源区和N型有源区；(e)在所述SOI衬底上形成引线，完成所述SPiN二极管的制备。
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