[发明专利]用于可重构多层全息天线的Si基SPiN二极管制备方法

说明书

技术领域

本发明属于半导体器件制造技术领域，涉及天线技术领域，尤其涉及一种用于可重构多层全息天线的Si基SPiN二极管制备方法。

背景技术

各类无线电通讯设备，如雷达、广播、电视等，都要通过天线来传递信号，要求天线具有较高的性能指标。

全息天线是一类特殊的天线形式，其设计思想独特，某些指标优于其他形式的天线，其设计理论和工程应用具有较高的研究和实用价值。具体地，全息天线是利用全息结构改变馈源辐射特性，以获得所需辐射的一种口径天线。全息天线的馈源不需要复杂的馈电网络，避免了微带天线阵列馈电网络的高损耗。而且，全息天线可以通过印刷电路板技术加工，馈源和全息板又放置在同一平面上，实现了低剖面，这是相对于反射面天线的一大优点。全息天线在实现高增益的同时，还具有低交叉极化的优良特性。

等离子体天线是一种将等离子体作为电磁辐射导向媒质的射频天线。等离子体天线的可利用改变等离子体密度来改变天线的瞬时带宽、且具有大的动态范围；还可以通过改变等离子体谐振、阻抗以及密度等，调整天线的频率、波束宽度、功率、增益和方向性动态参数；另外，等离子体天线在没有激发的状态下，雷达散射截面可以忽略不计，而天线仅在通信发送或接收的短时间内激发，提高了天线的隐蔽性，这些性质可广泛的应用于各种侦察、预警和对抗雷达，星载、机载和导弹天线，微波成像天线，高信噪比的微波通信天线等领域，极大地引起了国内外研究人员的关注，成为了天线研究领域的热点。

因此，如何制作一种SPiN二极管来应用于固态等离子天线就变得尤为重要。

发明内容

因此，为解决现有技术存在的技术缺陷和不足，本发明提出一种用于可重构多层全息天线的Si基SPiN二极管制备方法。

本发明的实施例提供了一种用于可重构多层全息天线的Si基SPiN二极管制备方法，其中，所述可重构多层全息天线(1)包括：半导体基片(11)、天线模块(13)、第一全息圆环(15)及第二全息圆环(17)；所述天线模块(13)、所述第一全息圆环(15)及所述第二全息圆环(17)均采用半导体工艺制作于所述半导体基片(11)上；所述天线模块(13)、所述第一全息圆环(15)及所述第二全息圆环(17)均包括依次串接的Si基SPiN二极管串；所述Si基SPiN二极管串包括多个串行连接的SPiN二极管；所述Si基SPiN二极管串包括多个串行连接的SPiN二极管，且所述SPiN二极管制备方法包括步骤如下：

(a)选取SOI衬底；

(b)刻蚀所述SOI衬底形成隔离槽，填充所述隔离槽形成隔离区，所述隔离槽的深度大于等于所述SOI衬底的顶层硅的厚度；

(c)刻蚀所述SOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；

(d)在所述P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成P型有源区和N型有源区；

(e)在所述SOI衬底上形成引线，完成所述SPiN二极管的制备。

在本发明的一个实施例中，所述天线模块13包括第一SPiN二极管天线臂1301、第二SPiN二极管天线臂1302、同轴馈线1303、第一直流偏置线1304、第二直流偏置线1305、第三直流偏置线1306、第四直流偏置线1307、第五直流偏置线1308、第六直流偏置线1309、第七直流偏置线1310、第八直流偏置线1311；

其中，所述同轴馈线1303的内芯线和外导体分别焊接于所述第一直流偏置线1304和所述第二直流偏置线1305；

所述第一直流偏置线1304、所述第五直流偏置线1308、所述第三直流偏置线1306及所述第四直流偏置线1307沿所述第一SPiN二极管天线臂1301的长度方向分别电连接至所述第一SPiN二极管天线臂1301；

所述第二直流偏置线1305、所述第六直流偏置线1309、所述第七直流偏置线1310及所述第八直流偏置线1311沿所述第二SPiN二极管天线臂1302的长度方向分别电连接至所述第二SPiN二极管天线臂1302。