[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法在审
| 申请号： | 201611184209.3 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106601669A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 胡小波 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司44202 | 代理人： | 郝传鑫,熊永强 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括在形成有半导体层的基板上依次形成有第一及第二金属层；在第二金属层上形成光阻材料层，并图案化光阻材料层形成光阻层；光阻层包括与半导体层相对的通孔、位于通孔两侧的源、漏极区及与漏极区相邻的像素电极区；蚀刻第二及第一金属层，以将光阻层的图案转移至第一及第二金属层上，以形成源漏极和像素电极图案；去除像素电极区的光阻层；去除像素电极区的第二金属层，以形成像素电极层；去除剩余的光阻层。本发明进行一次光罩工艺来同时形成源、漏极区及像素电极区，即可以同时形成源漏极及像素电极，简化了薄膜晶体管阵列基板的工艺步骤，降低薄膜晶体管阵列基板的制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板的制造方法包括：在形成有半导体层的基板上依次形成有第一及第二金属层；在所述第二金属层上形成光阻材料层，并图案化所述光阻材料层形成光阻层；所述光阻层包括与所述半导体层相对的通孔、位于所述通孔两侧的源极区、漏极区及与所述漏极区相邻的像素电极区；蚀刻所述第二及第一金属层，以将所述光阻层的图案转移至第一及第二金属层上，以形成源漏极和像素电极图案；去除所述像素电极区的光阻层；去除所述像素电极区的第二金属层，以形成像素电极层；去除剩余的光阻层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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