[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法在审
| 申请号： | 201611184209.3 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106601669A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 胡小波 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司44202 | 代理人： | 郝传鑫,熊永强 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 阵列 制造 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板的制造方法包括：
在形成有半导体层的基板上依次形成有第一及第二金属层；
在所述第二金属层上形成光阻材料层，并图案化所述光阻材料层形成光阻层；所述光阻层包括与所述半导体层相对的通孔、位于所述通孔两侧的源极区、漏极区及与所述漏极区相邻的像素电极区；
蚀刻所述第二及第一金属层，以将所述光阻层的图案转移至第一及第二金属层上，以形成源漏极和像素电极图案；
去除所述像素电极区的光阻层；
去除所述像素电极区的第二金属层，以形成像素电极层；
去除剩余的光阻层。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制作方法在所述去除剩余的光阻层之后还包括：
在去除光阻层阵列基板上形成绝缘层，并进行图案化处理。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制作方法在所述在形成有半导体层的基板上依次形成有第一及第二金属层之前还包括：
提供一基板；
在所述基板上形成栅极及公共电极；
在形成有栅极及公共电极的基板上形成有绝缘层；
在所述绝缘层上形成有半导体层。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一及第二金属层的形成是通过物理气相沉积的方式将第一金属及第二金属分别溅射至形成有半导体层的基板上。
5.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一金属为钼钛，所述第二金属为铜。
6.如权利要求4或5所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一金属层的厚度为150-500埃，所述第二金属层的厚度为2000-5000埃。
7.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，所述图案化所述光阻材料层形成光阻层包括：
通过半色调掩膜光罩工艺对所述光阻材料层进行图案化形成所述光阻层，其中位于所述像素电极区域的光阻层的厚度小于所述源漏极上的光阻层的厚度。
8.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，在步骤蚀刻所述第二及第一金属层，以将所述光阻层的图案转移至第一及第二金属层上，以形成源漏极和像素电极图案中，采用含氟的双氧水对所述第二及第一金属层进行蚀刻。
9.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，在步骤去除所述像素电极区的第二金属层，以形成像素电极层中，采用不含氟的双氧水去除所述像素电极区的第二金属层。
10.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，所述像素电极层中的图案线条宽度小于2um。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司，未经深圳市华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611184209.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
