[发明专利]可重构全息天线中的固态等离子pin二极管的制备方法在审
| 申请号： | 201611183921.1 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106816682A | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪;张亮 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01Q1/22 | 分类号： | H01Q1/22;H01Q1/36;H01L21/329;H01L29/868 |
| 代理公司： | 西安智萃知识产权代理有限公司61221 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种可重构全息天线中的固态等离子pin二极管的制备方法，包括选取SOI衬底；刻蚀SOI衬底形成隔离槽，填充隔离槽形成隔离区；刻蚀SOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽；在P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成P型有源区和N型有源区；在SOI衬底上形成引线，采用本方法能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能固态等离子pin二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 可重构 全息 天线 中的 固态 等离子 pin 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种可重构全息天线中的固态等离子pin二极管的制备方法，其特征在于，所述固态等离子pin二极管用于制作可重构全息天线，所述可重构全息天线包括：SOI半导体基片(1)；制作在所述SOI半导体基片(1)上的第一天线臂(2)、第二天线臂(3)、同轴馈线(4)及全息圆环(14)；其中，所述第一天线臂(2)和所述第二天线臂(3)包括分布在所述同轴馈线(4)两侧且等长的固态等离子pin二极管串，所述全息圆环(14)包括多个固态等离子pin二极管串(w7)，所述固态等离子pin二极管的制备方法包括如下步骤：(a)选取SOI衬底；(b)在所述SOI衬底表面形成第一保护层；(c)利用光刻工艺在所述第一保护层上形成第一隔离区图形；(d)利用干法刻蚀工艺在所述第一隔离区图形的指定位置处刻蚀所述第一保护层及所述SOI衬底以形成所述隔离槽；(e)在所述SOI衬底表面形成第二保护层；(f)利用光刻工艺在所述第二保护层上形成第二隔离区图形；(g)利用干法刻蚀工艺在所述第二隔离区图形的指定位置处刻蚀所述第二保护层及所述SOI衬底以形成所述P型沟槽和N型沟槽；(h)在所述P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入形成P型有源区和N型有源区；(i)在所述SOI衬底上生成二氧化硅；(j)利用退火工艺激活所述P型有源区和N型有源区中的杂质；(k)在P型接触区和N型接触区光刻引线孔以形成引线；(l)钝化处理并光刻PAD以形成所述固态等离子pin二极管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安科锐盛创新科技有限公司，未经西安科锐盛创新科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611183921.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
