[发明专利]一种低导通电阻氢终端金刚石场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201611168646.6 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN106783558B | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 郁鑫鑫;周建军;孔岑 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 唐代盛 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低导通电阻氢终端金刚石场效应晶体管及其制备方法，采用石墨烯转移技术将石墨烯薄膜转移至氢终端金刚石衬底上得到样品；光刻源漏图形，并进行源漏金属的蒸发和剥离；进行退火处理；采用原子层淀积技术ALD生长一层Al2O3钝化保护层；采用光刻或者电子束技术进行栅的曝光和显影，选择性露出栅电极；用氢氟酸将栅电极下的Al2O3腐蚀掉，并使Al2O3形成侧向腐蚀；用氧等离子体将栅电极下的石墨烯去除；采用ALD生长一层薄Al2O3栅介质；蒸发栅金属，并对栅金属进行剥离；对剥离后的样品进行表面氢处理，修复和增强器件沟道上的氢终端化，得到氢终端金刚石场效应管。本发明相同厚度下可以获得更低的源漏寄生电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通电 终端 金刚石 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低导通电阻氢终端金刚石场效应晶体管，其特征在于由以下步骤按顺序制备而得：(1)采用石墨烯转移技术将石墨烯薄膜转移至氢终端金刚石衬底上得到样品；(2)在样品上光刻源漏图形，并进行源漏金属的蒸发和剥离；(3)对样品进行退火处理，实现低欧姆接触；(4)对退火处理的样品采用原子层淀积技术ALD生长一层Al2O3钝化保护层；(5)采用光刻或者电子束技术进行栅的曝光和显影，选择性露出栅电极；(6)用氢氟酸将栅电极下的Al2O3腐蚀掉，并使Al2O3形成侧向腐蚀；(7)用氧等离子体将栅电极下的石墨烯去除；(8)采用ALD生长一层薄Al2O3栅介质；(9)蒸发栅金属，并对栅金属进行剥离；(10)对剥离后的样品进行表面氢处理，修复和增强器件沟道上的氢终端化，得到氢终端金刚石场效应管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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