[发明专利]一种多晶硅锭及其制备方法有效
| 申请号： | 201611168629.2 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN106757331B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 雷琦;胡动力;何亮;鄢俊琦 | 申请（专利权）人： | 赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338004 *** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅锭的制备方法，包括：提供坩埚，在坩埚底部设置形核剂层；在形核剂层上设置硅块或硅颗粒形成架空层，架空层在垂直于坩埚底部的方向上设有贯通的空隙，架空层的高度不小于10mm；在架空层上铺设硅片，硅片覆盖空隙形成覆盖层，然后在覆盖层上填装硅料；加热使硅料熔化形成硅熔体，当覆盖层熔化时，硅熔体通过空隙流向形核剂层的表面，在形核剂层表面形核形成形核层；待覆盖层完全熔化后立即进入长晶阶段，硅熔体在形核层的基础上开始长晶；待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。本发明提供的多晶硅锭的制备方法提高了全熔法铸造多晶硅锭的形核稳定性和形核效率。本发明还提供了一种多晶硅锭。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅锭 覆盖层 硅熔体 架空层 形核剂 熔化 形核 坩埚 制备 形核层 硅片 硅料 退火 空隙形成 硅颗粒 硅块 填装 加热 冷却 铸造 垂直 贯通 铺设 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括：提供坩埚，在所述坩埚底部设置形核剂层；在所述形核剂层上设置硅块或硅颗粒形成架空层，所述架空层在垂直于所述坩埚底部的方向上设有贯通的空隙，所述架空层的高度不小于10mm；在所述架空层上铺设硅片，所述硅片覆盖所述空隙形成覆盖层，然后在所述覆盖层上填装硅料；加热使所述硅料熔化形成硅熔体，当所述覆盖层熔化时，所述硅熔体通过所述空隙流向所述形核剂层的表面，在所述形核剂层表面形核形成形核层；待所述覆盖层完全熔化后立即进入长晶阶段，所述硅熔体在所述形核层的基础上开始长晶；待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司，未经赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611168629.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
