[发明专利]SiC晶体切片移动设备及移动方法有效
申请号: | 201611167941.X | 申请日: | 2016-12-16 |
公开(公告)号: | CN108213745B | 公开(公告)日: | 2020-01-24 |
发明(设计)人: | 三重野文健 | 申请(专利权)人: | 上海新昇半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;B23K26/70;B23K26/38;B23K101/40 |
代理公司: | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 余昌昊 |
地址: | 201306 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种SiC晶体切片移动设备及移动方法,所述SiC切片移动设备包括支撑台、平行设置的两个支撑架以及顶盘,对SiC锭进行激光照射之后,在所述SiC锭上形成多个SiC切片,将所述SiC锭放置于支撑台上,两个支撑架固定所述SiC锭,移动顶盘至所述SiC锭的顶部,吸附第一SiC切片,移动所述顶盘,使所述顶盘吸附所述第一SiC切片离开所述SiC锭,将所述第一SiC切片放置于所述切片接收台上,完成第一SiC切片的分离,然后移动支撑架,对其余的SiC切片进行分离,其分离SiC切片的方法简单,操作方便,从一定程度上提高了SiC切片的分离效率。 | ||
搜索关键词: | 切片 顶盘 移动设备 移动 吸附 移动支撑架 支撑架固定 分离效率 激光照射 平行设置 支撑架 支撑台 支撑 | ||
【主权项】:
1.一种SiC切片移动设备,其特征在于,包括支撑台、平行设置的两个支撑架,所述支撑架的延伸方向为第一方向;所述支撑架与所述支撑台相连接,所述支撑架能够在所述第一方向上沿所述支撑台移动并固定于所述支撑台上;两个所述支撑架相对设置,用于固定SiC锭;/n还包括与所述支撑台相连接的顶盘,所述顶盘能够在所述第一方向上沿所述支撑台移动,并能够沿所述支撑台旋转;所述顶盘远离或靠近所述SiC锭,用于吸附所述SiC锭上的SiC切片,使所述SiC切片离开所述SiC锭;/n其中,所述支撑台包括支撑座与两个支撑柱,两个所述支撑柱设置于所述支撑座的两侧,所述支撑座用于支撑所述SiC锭,所述支撑架能够在所述第一方向上沿所述支撑柱移动并固定于所述支撑柱上,以使所述支撑架在所述第一方向上的上表面与最上面的所述SiC切片的下表面平齐。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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