[发明专利]一种转移ITO薄膜的方法在审
| 申请号： | 201611166575.6 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN106676472A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 朱归胜;徐华蕊;陈一达;俞兆喆;赵昀云;颜东亮 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 广西南宁汇博专利代理有限公司45114 | 代理人： | 邹超贤 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种转移ITO薄膜的方法，先在铜箔上采用磁控溅射技术沉积一定厚度的ITO薄膜，然后在ITO薄膜的表面喷涂一定厚度的环氧树脂AB胶，同时将喷涂了环氧树脂AB胶的面与PET膜通过辊压方式进行贴合，并在一定温度下加热一定时间使环氧树脂AB胶固化，最后放入硝酸铁刻蚀液去除铜箔，并用去离子水清洗后烘干，得到转移的ITO薄膜。本发明解决了高温沉积ITO薄膜向柔性衬底的转移，有效提高PET柔性衬底ITO薄膜的光电性能，克服已有技术不能直接通过高温沉积在柔性衬底上实现结晶态，或通过改进沉积工艺或薄膜制备方法的途径对柔性衬底ITO薄膜结晶性能的提升也并不明显的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 转移 ito 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种转移ITO薄膜的方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1：在铜箔上采用磁控溅射制备一定厚度的结晶态ITO薄膜；步骤2：采用喷涂技术在ITO薄膜的表面喷涂一定厚度的AB胶；步骤3：将喷涂了AB胶的面与PET薄通过辊压方式贴合；步骤4：将贴合后的膜放置在一定温度的加热台上烘烤一定时间，使AB胶固化；步骤5：放入硝酸铁溶液将铜箔刻蚀；步骤6：用去离子水超声清洗3次～4次，然后烘干。
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