[发明专利]一种光刻胶去除装置及其清洗方法在审
| 申请号： | 201611162303.9 | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108227413A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 梁洁;叶如彬;吴磊;李双亮 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 潘朱慧 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种光刻胶去除装置，包含：光刻胶去除腔室；所述光刻胶去除腔室内的顶部设有喷头，向光刻胶去除腔室内引入清洁气体；沿着所述光刻胶去除腔室的侧壁内侧覆盖设置垫板；所述垫板内嵌入设置电极线圈；该电极线圈上施加有高压射频电源，在垫板表面形成DBD等离子体，以对光刻胶去除腔室内部，尤其对垫板表面进行等离子体清洗。本发明采用DBD等离子体进行腔内清洗，能完全清除其上沉积附着的光刻胶残余反应物，损伤极小，且有效提高光刻胶去除装置的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻胶去除 光刻胶去除装置 等离子体 垫板表面 电极线圈 垫板 腔室 清洗 喷头 等离子体清洗 高压射频电源 室内 光刻胶残余 嵌入设置 腔室内部 清洁气体 反应物 胶去除 侧壁 腔内 沉积 附着 损伤 施加 引入 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种光刻胶去除装置，其特征在于，包含：光刻胶去除腔室；喷头，设置在光刻胶去除腔室内的顶部，向光刻胶去除腔室内引入清洁气体；垫板，沿着光刻胶去除腔室的侧壁内侧覆盖设置；电极线圈，嵌入设置在垫板内部；其中，所述的电极线圈上施加有高压射频电源，在垫板表面形成DBD等离子体，对光刻胶去除腔室内部，尤其对垫板表面进行等离子体清洗；且所述的高压射频电源的输出电压的幅值为1kV～10kV，频率为1kHz～1MHz。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备（上海）有限公司，未经中微半导体设备（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611162303.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：光刻掩模层
- 下一篇：掩模结构与掩模制程方法
