[发明专利]一种等离子体刻蚀工艺的处理装置及方法在审

专利信息
申请号: 201611162301.X 申请日: 2016-12-15
公开(公告)号: CN108231621A 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: 连增迪;黄允文;吴狄;谭浩 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/3065
代理公司: 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 代理人: 尹兵
地址: 201201 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种等离子体刻蚀工艺的处理方法,该方法包括交替循环的沉积和刻蚀工艺子过程,在每个子过程进行中,时间控制模块控制第一输气管路、第二输气管路、抽气管路的启闭,使该子过程的气体输送到工艺腔内,同时检测模块的检测单元检测工艺腔内气体浓度所形成的特征值,通过特征值确定气体的种类和浓度,检测模块的切换单元判断所述特征值是否达到预定的阈值,如果达到预定的阈值,则切换偏压电源输出满足该子过程的偏压功率。本发明还公开了一种等离子体刻蚀工艺的处理装置。本发明提高了整个工艺的稳定性和控制性,得到更小的倾斜角度。
搜索关键词: 子过程 等离子体刻蚀 处理装置 检测模块 输气管路 工艺腔 时间控制模块 特征值确定 抽气管路 单元检测 交替循环 刻蚀工艺 偏压电源 偏压功率 气体输送 切换单元 控制性 沉积 启闭 输出 检测
【主权项】:
1.一种等离子体刻蚀工艺的处理装置,所述刻蚀工艺包括两个相互交替循环执行的沉积和刻蚀工艺子过程,所述装置包含等离子工艺腔和工艺条件辅助单元,其特征在于,所述辅助单元包括:第一输气管路,用于向所述等离子工艺腔输送沉积步骤中的气体;第二输气管路,用于向所述等离子工艺腔输送刻蚀步骤中的气体;抽气管路,用于抽取所述等离子工艺腔内的沉积步骤结束后的气体和刻蚀步骤结束后的气体,并通过第一支路连接至第一输气管路,通过第二支路连接至第二输气管路;偏压电源,用于提供所述沉积工艺子过程中的偏压功率或提供所述刻蚀工艺子过程中的偏压功率;时间控制模块,用于控制所述沉积或刻蚀工艺子过程的时间,以及第一输气管路、第二输气管路、抽气管路的启闭切换,其中,刻蚀和沉积工艺子过程的时间长度小于0.5秒;检测模块,包括:检测单元,用于检测在所述沉积步骤或刻蚀工艺子过程中进入所述等离子工艺腔内气体浓度所形成的特征值;切换单元,通过所述特征值判断所述沉积或刻蚀工艺子过程中进入所述等离子工艺腔内气体种类和浓度,并根据气体种类和浓度,切换所述偏压电源输出满足所述沉积或刻蚀工艺子过程的偏压功率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备(上海)有限公司,未经中微半导体设备(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611162301.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top