[发明专利]一种等离子体刻蚀工艺的处理装置及方法在审
申请号: | 201611162301.X | 申请日: | 2016-12-15 |
公开(公告)号: | CN108231621A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 连增迪;黄允文;吴狄;谭浩 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/3065 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 尹兵 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种等离子体刻蚀工艺的处理方法,该方法包括交替循环的沉积和刻蚀工艺子过程,在每个子过程进行中,时间控制模块控制第一输气管路、第二输气管路、抽气管路的启闭,使该子过程的气体输送到工艺腔内,同时检测模块的检测单元检测工艺腔内气体浓度所形成的特征值,通过特征值确定气体的种类和浓度,检测模块的切换单元判断所述特征值是否达到预定的阈值,如果达到预定的阈值,则切换偏压电源输出满足该子过程的偏压功率。本发明还公开了一种等离子体刻蚀工艺的处理装置。本发明提高了整个工艺的稳定性和控制性,得到更小的倾斜角度。 | ||
搜索关键词: | 子过程 等离子体刻蚀 处理装置 检测模块 输气管路 工艺腔 时间控制模块 特征值确定 抽气管路 单元检测 交替循环 刻蚀工艺 偏压电源 偏压功率 气体输送 切换单元 控制性 沉积 启闭 输出 检测 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体刻蚀工艺的处理装置,所述刻蚀工艺包括两个相互交替循环执行的沉积和刻蚀工艺子过程,所述装置包含等离子工艺腔和工艺条件辅助单元,其特征在于,所述辅助单元包括:第一输气管路,用于向所述等离子工艺腔输送沉积步骤中的气体;第二输气管路,用于向所述等离子工艺腔输送刻蚀步骤中的气体;抽气管路,用于抽取所述等离子工艺腔内的沉积步骤结束后的气体和刻蚀步骤结束后的气体,并通过第一支路连接至第一输气管路,通过第二支路连接至第二输气管路;偏压电源,用于提供所述沉积工艺子过程中的偏压功率或提供所述刻蚀工艺子过程中的偏压功率;时间控制模块,用于控制所述沉积或刻蚀工艺子过程的时间,以及第一输气管路、第二输气管路、抽气管路的启闭切换,其中,刻蚀和沉积工艺子过程的时间长度小于0.5秒;检测模块,包括:检测单元,用于检测在所述沉积步骤或刻蚀工艺子过程中进入所述等离子工艺腔内气体浓度所形成的特征值;切换单元,通过所述特征值判断所述沉积或刻蚀工艺子过程中进入所述等离子工艺腔内气体种类和浓度,并根据气体种类和浓度,切换所述偏压电源输出满足所述沉积或刻蚀工艺子过程的偏压功率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造