[发明专利]刻蚀硅片水膜去水装置有效
申请号: | 201611157688.X | 申请日: | 2016-12-15 |
公开(公告)号: | CN106449492B | 公开(公告)日: | 2023-05-26 |
发明(设计)人: | 孙铁囤;姚伟忠;徐天伟 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 郑云 |
地址: | 213000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及硅片生产设备技术领域,尤其是涉及一种刻蚀硅片水膜去水装置,包括水槽,所述水槽内转动设有若干用于输送硅片的输送辊,所述水槽外设有用于驱动输送辊转动的第一电机,所述水槽上转动设置有去水辊,所述去水辊位于所述输送辊上方且一一对应,所述去水辊外周面开设有若干第一环形槽,所述水槽外设有用于驱动去水辊转动的第二电机,所述输送辊与所述去水辊旋转方向相反,所述水槽上设有集水盒,所述集水盒上设有开口朝上的集水腔,本发明操作简单方便,能够有效去除硅片水膜多余的水,防止了硅片上的水膜会溢出在刻蚀槽造成刻蚀槽内酸性溶液浓度变小,为了达到要求的浓度,要不断的增加供酸量,无形中增加了生产成本的问题。 | ||
搜索关键词: | 刻蚀 硅片 水膜去水 装置 | ||
【主权项】:
一种刻蚀硅片水膜去水装置,其特征在于:包括水槽(1),所述水槽(1)内转动设有若干用于输送硅片(7)的输送辊(2),所述水槽(1)外设有用于驱动输送辊(2)转动的第一电机(3),所述水槽(1)上转动设置有去水辊(5),所述去水辊(5)位于所述输送辊(2)上方且一一对应,所述去水辊(5)外周面开设有若干第一环形槽(501),所述水槽(1)外设有用于驱动去水辊(5)转动的第二电机(8),所述输送辊(2)与所述去水辊(5)旋转方向相反,所述水槽(1)上设有集水盒(6),所述集水盒(6)上设有开口朝上的集水腔(601),所述集水盒(6)与所述去水辊(5)一一对应,所述集水盒(6)位于所述去水辊(5)靠近硅片(7)输入的一侧,所述集水盒(6)靠近相对应去水辊(5)的一侧为斜边(602),所述斜边(602)沿硅片(7)输送方向向上倾斜设置,所述斜边(602)的上端与所述去水辊(5)外周面接触,所述水槽(1)上设有将集水腔(601)与所述水槽(1)连通的通道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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