[发明专利]一种高光效发光二极管在审
| 申请号： | 201611138225.9 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN108231970A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 王波 | 申请（专利权）人： | 王波 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/10;H01L33/16 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 韩雪 |
| 地址： | 613100 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高光效发光二极管，其特征在于：包括硅衬底，所述衬底上表面生长有外延结构层，所述外延结构层由上到下依次包括p‑GaN层、多量子阱层、n‑GaN层，所述n‑GaN层下设有凹形的反光层，所述反光层与衬底连接；所述p‑GaN层和n‑GaN层中分别嵌入光子晶体层；所述p‑GaN层表面镀有导电层，导电层的上表面设有沟槽，所述沟槽与P电极连接；所述n‑GaN层上设有凹槽，凹槽与N电极连接。本发明高光效发光二极管，能够降低电极下方的电流积聚度，减少电流积聚产生的热量，减少P电极对出射光的吸收量，同时在p‑GaN层和n‑GaN层中嵌入双光子晶体层，能够控制辐射的方向，具有很高的光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 高光效 外延结构层 电流积聚 导电层 反光层 嵌入 衬底上表面 多量子阱层 光提取效率 光子晶体层 由上到下 表面镀 出射光 硅衬底 晶体层 上表面 双光子 吸收量 电极 凹形 衬底 辐射 生长 | ||
【主权项】：
1.一种高光效发光二极管，其特征在于：包括硅衬底，所述衬底上表面生长有外延结构层，所述外延结构层由上到下依次包括p‑GaN层、多量子阱层、n‑GaN层，所述n‑GaN层下设有凹形的反光层，所述反光层与衬底连接；所述p‑GaN层和n‑GaN层中分别嵌入光子晶体层；所述p‑GaN层表面镀有导电层，导电层的上表面设有沟槽，所述沟槽与P电极连接；所述n‑GaN层上设有凹槽，凹槽与N电极连接。
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