[发明专利]一种高光效发光二极管在审
| 申请号： | 201611138225.9 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN108231970A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 王波 | 申请（专利权）人： | 王波 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/10;H01L33/16 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 韩雪 |
| 地址： | 613100 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 高光效 外延结构层 电流积聚 导电层 反光层 嵌入 衬底上表面 多量子阱层 光提取效率 光子晶体层 由上到下 表面镀 出射光 硅衬底 晶体层 上表面 双光子 吸收量 电极 凹形 衬底 辐射 生长 | ||
【权利要求书】：
1.一种高光效发光二极管，其特征在于：包括硅衬底，所述衬底上表面生长有外延结构层，所述外延结构层由上到下依次包括p-GaN层、多量子阱层、n-GaN层，所述n-GaN层下设有凹形的反光层，所述反光层与衬底连接；所述p-GaN层和n-GaN层中分别嵌入光子晶体层；所述p-GaN层表面镀有导电层，导电层的上表面设有沟槽，所述沟槽与P电极连接；所述n-GaN层上设有凹槽，凹槽与N电极连接。
2.根据权利要求1所述的高光效发光二极管，其特征在于：所述光子晶体层中的光子晶体的晶格常数为200nm；所述n-GaN层中光子晶体层到反光层的距离为150nm，刻蚀深度为90nm；所述p-GaN层到导电层的距离为140nm, 刻蚀深度为100nm。
3.根据权利要求1所述的高光效发光二极管，其特征在于：所述导电层为ITO透明氧化层。
4.根据权利要求1所述的高光效发光二极管，其特征在于：所述沟槽为两端凸出导电层上表面，中间有呈凹形，与凸形P电极配合连接。
5.根据权利要求1所述的高光效发光二极管，其特征在于：所述n-GaN层的上表面一端与多量子阱层连接，另一端裸露，其上有凹槽缺口，与凸形N电极配合连接。
6.根据权利要求1所述的高光效发光二极管，其特征在于：所述反光层为二氧化硅薄膜，其厚度为500微米；所述P电极和N电极分别采用Cu和Cr。
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