[发明专利]一种多晶硅的提纯方法有效

专利信息
申请号: 201611137128.8 申请日: 2016-12-12
公开(公告)号: CN106587070B 公开(公告)日: 2019-03-12
发明(设计)人: 刘振东;李现常;翟亚芳;刘照亮 申请(专利权)人: 安阳工学院
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 郑州立格知识产权代理有限公司 41126 代理人: 王晖
地址: 455000 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 一种多晶硅的提纯方法,包括以下步骤:A:将原料多晶硅研磨至粒度为36‑260μm;B:将研磨后的多晶硅在氩气保护下以5℃/min的速度从室温煅烧至1050±5℃,再以1℃/min速度继续加热至1250±5℃然后将硅在冷水中快速淬火至室温,金属硅表面出现炸纹;C:将淬火后的多晶硅在酸洗液中酸洗;然后过滤多晶硅,再用去离子水冲洗至中性,得提纯后的多晶硅。采用本方法对多晶硅结构型杂质和粘附性杂质移除率高。多晶硅酸洗后的废液可以作为化工原料循环使用,不破坏环境。
搜索关键词: 一种 多晶 提纯 方法
【主权项】:
1.一种多晶硅的提纯方法,其特征在于包括以下步骤:A:将原料多晶硅研磨至粒度为36‑260μm;B:将研磨后的多晶硅在氩气保护下以5℃/min的速度从室温煅烧至1050±5℃,保持0.5h;再以1℃/min速度继续加热至1250±5℃,保持0.5h,加热的同时不断抽气,煅烧温度至650±45℃至时向煅烧炉内滴入甲醇,滴入甲醇的速度为每100g多晶硅滴加量为50滴/min,直至煅烧结束,然后将硅在冷水中快速淬火至室温,金属硅表面出现炸纹;C:将淬火后的多晶硅在酸洗液中酸洗,酸洗工艺为:C1:酸洗液配制,按照摩尔比氢氟酸8‑10份:硝酸8‑10份:去离子水70‑75份配制酸洗液;C2:将淬火后的多晶硅投入酸洗液中酸洗2‑2.5小时,投入多晶硅的质量为酸洗液质量的3.5‑7%酸洗液温度50℃‑75℃,磁子搅拌速度为1500r/min;C3:加入络合剂酸洗,在步骤C2完成后,在多晶硅和酸洗液的混合体系中加入络合剂,加入络合剂的摩尔数为氢氟酸摩尔数的0.4‑0.6倍; 所述的络合剂为山梨醇或卫茅醇或甘露醇或β‑D呋喃果糖;继续酸洗3‑5h,然后过滤多晶硅,再用去离子水冲洗至中性,得提纯后的多晶硅。
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