[发明专利]一种降低大直径SiC单晶内应力的炉后退火方法有效
| 申请号： | 201611126089.1 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN106480504B | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 杨昆;杨继胜;高宇;郑清超 | 申请（专利权）人： | 河北同光晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京连城创新知识产权代理有限公司 11254 | 代理人： | 郝学江 |
| 地址： | 071051 河北省保定市北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳化硅单晶生长结束后处理领域，具体涉及一种降低大直径SiC单晶内应力的炉后退火方法。包括以下步骤：（1）将附着石墨组件的单晶整体放置于退火炉恒温区中，同时通入惰性气体，逐渐升温至SiC单晶脆化点1100℃以上；（2）维持1100℃以上的炉温，将气体氛围置换为与石墨发生反应的气体氛围，通过气体与石墨发生反应去除石墨组件；（3）待完全去除所述单晶上附着的石墨组件，将所述气体氛围重新置换为惰性气体氛围，并将炉温升至1300℃以上的温度并稳定，将无石墨组件附着的SiC单晶进行退火；（4）将所述炉温缓慢降至室温，并停止通入所述惰性气体。本发明有效地降低了大直径SiC单晶内应力，进一步降低了后续加工过程中单晶的开裂几率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 直径 sic 内应力 退火 方法 | ||
【主权项】：
1.一种降低大直径SiC单晶内应力的炉后退火方法,其特征在于，包括以下步骤：（1）将附着石墨组件的单晶整体放置于退火炉恒温区中，同时向所述退火炉中通入惰性气体，在惰性气体保护下，逐渐升温至SiC单晶脆化点1100℃以上；（2）维持步骤（1）所述的1100℃以上的炉温，将所述退火炉中的气体氛围置换为与石墨发生反应的气体氛围，通过气体与石墨发生反应去除所述单晶上附着的石墨组件；（3）待完全去除所述单晶上附着的石墨组件，向所述退火炉中通入惰性气体，将所述退火炉中的气体氛围重新置换为惰性气体氛围，并将炉温升至1300℃以上的温度并保持稳定一段时间，同时继续通入惰性气体，将无石墨组件附着的自由状态SiC单晶进行一段时间退火；（4）将所述炉温缓慢降至室温，并停止通入所述惰性气体。
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