[发明专利]一种碳化硅单晶生长热场结构中的石墨板涂层的制备方法

摘要

本发明的碳化硅单晶生长热场结构中的石墨板涂层的制备方法，包括如下步骤：1)制备TaCl₅正丁醇溶液；2)将多孔石墨板浸入上述溶液内，使多孔石墨板空隙表面完全被饱和溶液浸润；3)将浸润后的多孔石墨板烘干；4)将步骤3)制备好的多孔石墨板放入真空炉内，进行升温煅烧；5)重复步骤1)‑4)的过程，多孔石墨表面形成致密的TaC涂层；6)将步骤5)制备好的多孔石墨板放入真空炉内，煅烧5‑10小时；由于TaC镀层在高温下可以抗碳化硅蒸汽、硅蒸汽腐蚀，因此避免多孔石墨材料在碳化硅生长气氛下粉化，能在晶体生长全周期内起到更好的过滤原料中碳微粒的作用，从而进一步减少晶体内碳包裹物密度。

主权项

1.一种碳化硅单晶生长热场结构中的石墨板涂层的制备方法，其中，所述石墨板位于颗粒状原料的上方，用于过滤碳化硅蒸汽中的碳颗粒,其特征在于，所述涂层的制备方法包括如下步骤：/n1)制备TaCl₅正丁醇溶液浓度达到饱和浓度70％-95％；/n2)将多孔石墨板浸入上述溶液内，使多孔石墨板空隙表面完全被饱和溶液浸润；/n3)将浸润后的多孔石墨板烘干；/n4)将步骤3)制备好的多孔石墨板放入真空炉内，进行升温煅烧，从而使浸润到多孔石墨表面的TaCl₅与多孔石墨发生反应，生成TaC层；/n5)重复步骤1)-4)的过程，多孔石墨表面形成致密的TaC涂层；/n6)将步骤5)制备好的多孔石墨板放入真空炉内，煅烧5-10小时，从而使原有的Ta在石墨体系内全部转化为TaC晶粒，并且和原有的TaC晶粒在高温下逐步长大，并进一步致密化。/n