[发明专利]量子点结构及制造方法、量子点发光二极管及制造方法

摘要

本发明公开一种量子点结构。所述量子点结构包括量子点核、包裹于所述量子点核外的应变补偿层及包裹于所述应变补偿层外的壳层，所述量子点核与所述壳层或所述应变补偿层间的晶格匹配度大于88％。本发明提供的量子点结构能消除壳层半导体材料在生长时带来的压应力，且保障量子点核低应力要求。本发明还提供一种量子点结构的制造方法、应用所述量子点结构的量子点发光二极管以及所述量子点发光二极管的制造方法。

主权项

1.一种量子点结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：以In(MA)x、P(TMS)3作为量子点前躯体加入十八烯溶液中，在280‑320℃温度下以热注入的方法反应1‑10min，得到InP量子点核；提供锌源作为应变补偿层前躯体，并将所述InP量子点核、应变补偿层前躯体及三辛基膦化硒混合，并在260‑300℃温度下以热注入的方法反应20‑50min，得到InP/ZnSe结构，其中ZnSe形成应变补偿层包裹于所述InP量子点核外；提供锌源作为壳层前躯体，并将所述InP/ZnSe结构、壳层前躯体及环己基异硫氰酸酯混合，并在260‑300℃温度下以热注入的方法反应10‑30min，得到InP/ZnSe/ZnS结构，其中ZnS形成壳层包裹于所述InP/ZnSe结构外。