[发明专利]量子点结构及制造方法、量子点发光二极管及制造方法

权利要求书

1.一种量子点结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

以In(MA)x、P(TMS)₃作为量子点前躯体加入十八烯溶液中，在280-320℃温度下以热注入的方法反应1-10min，得到InP量子点核；

提供锌源作为应变补偿层前躯体，并将所述InP量子点核、应变补偿层前躯体及三辛基膦化硒混合，并在260-300℃温度下以热注入的方法反应20-50min，得到InP/ZnSe结构，其中ZnSe形成应变补偿层包裹于所述InP量子点核外；

提供锌源作为壳层前躯体，并将所述InP/ZnSe结构、壳层前躯体及环己基异硫氰酸酯混合，并在260-300℃温度下以热注入的方法反应10-30min，得到InP/ZnSe/ZnS结构，其中ZnS形成壳层包裹于所述InP/ZnSe结构外。

2.一种用权利要求1所述的量子点结构的制造方法制造的量子点结构，其特征在于，包括量子点核、包裹于所述量子点核外的应变补偿层及包裹于所述应变补偿层外的壳层，所述量子点核与所述壳层或所述应变补偿层间的晶格匹配度大于88％。

3.根据权利要求2所述的量子点结构，其特征在于，所述量子点核、应变补偿层和壳层中至少一层的材料为半导体材料，所述半导体材料包括I-VII族化合物、II-VI族化合物、III-V族化合物或IV族单体中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的量子点结构，其特征在于，所述量子点核材料选自III-V族化合物，所述III-V族化合物为InAs、InP、InN、GaN、InSb、InAsP、InGaAs、GaAs、GaP、GaSb、AlP、AlN或AlAs中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的量子点结构，其特征在于，所述应变补偿层材料选自II-VI族化合物或/和III-V族化合物，所述II-VII族化合物为ZnSe、ZnS或ZnO中的至少一种，所述III-V族化合物为GaNAs、GaP、GaInP、GaAsP、InGaAsP或InGaAlAs中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的量子点结构，其特征在于，所述壳层材料选自II-VI族化合物，所述II-VI族化合物为ZnSe、ZnS或ZnO中的至少一种。

7.根据权利要求2或3所述的量子点结构，其特征在于，所述量子点核材料为InP，所述应变补偿层材料为ZnSe，所述壳层材料为ZnS。

8.根据权利要求7所述的量子点结构，其特征在于，所述量子点结构的半径为2.4-2.8nm。

9.一种量子点发光二极管，包括基板、依次层叠设于所述基板的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，其特征在于，所述量子点发光层包括若干个如权利要求2至8中任一项所述的量子点结构。

10.一种量子点发光二极管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基板，在所述基板上制备形成空穴注入层；

在所述空穴注入层上制备形成空穴传输层；

在所述空穴传输层上沉积如权利要求2-8中任一项所述的量子点结构，形成量子点发光层；

在所述量子点发光层上依次制备形成电子传输层和阴极。