[发明专利]非对称相移光栅及DFB半导体激光器在审

专利信息
申请号: 201611112090.9 申请日: 2016-12-02
公开(公告)号: CN108155560A 公开(公告)日: 2018-06-12
发明(设计)人: 郑俊守;孙雨舟;王祥忠 申请(专利权)人: 苏州旭创科技有限公司
主分类号: H01S5/12 分类号: H01S5/12;H01S5/125
代理公司: 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 代理人: 杨林洁
地址: 215000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 本申请揭示了一种非对称相移光栅及DFB半导体激光器,所述相移光栅包括相移及位于相移两侧的第一光栅和第二光栅,所述第一光栅的长度大于第二光栅,所述第一光栅和第二光栅的刻蚀深度相同且光栅周期相等;所述第一光栅及第二光栅均包括相邻相移设置的切趾段光栅,并且所述切趾段光栅的占空比逐渐变化以使所述相移光栅的折射率调制由两侧向相移逐渐减小。本申请基于非对称结构相移光栅的DFB半导体激光器,在相移两侧光栅刻蚀深度和光栅周期相同的条件下,改变相移的位置,使相移偏离腔长中心,偏向激光输出端。实现输出光功率的不对称,增大了激光器的有效输出光功率;并在相移两侧的光栅中引入切趾段光栅,有效减弱空间烧孔效应的影响,提高DFB半导体激光器的单模成品率。
搜索关键词: 光栅 相移 相移光栅 半导体激光器 光栅周期 非对称 刻蚀 单模成品率 非对称结构 激光输出端 输出光功率 折射率调制 有效输出 逐渐变化 逐渐减小 激光器 不对称 光功率 占空比 腔长 烧孔 申请 相等 偏离 引入
【主权项】:
一种非对称相移光栅,其特征在于,所述相移光栅包括相移及位于相移两侧的第一光栅和第二光栅,所述第一光栅的长度大于第二光栅,所述第一光栅和第二光栅的刻蚀深度相同且光栅周期相等;所述第一光栅及第二光栅均包括相邻相移设置的切趾段光栅,并且所述切趾段光栅的占空比逐渐变化以使所述相移光栅的折射率调制由两侧向相移逐渐减小。
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