[发明专利]非对称相移光栅及DFB半导体激光器在审
| 申请号： | 201611112090.9 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN108155560A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 郑俊守;孙雨舟;王祥忠 | 申请（专利权）人： | 苏州旭创科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/125 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光栅 相移 相移光栅 半导体激光器 光栅周期 非对称 刻蚀 单模成品率 非对称结构 激光输出端 输出光功率 折射率调制 有效输出 逐渐变化 逐渐减小 激光器 不对称 光功率 占空比 腔长 烧孔 申请 相等 偏离 引入 | ||
1.一种非对称相移光栅，其特征在于，所述相移光栅包括相移及位于相移两侧的第一光栅和第二光栅，所述第一光栅的长度大于第二光栅，所述第一光栅和第二光栅的刻蚀深度相同且光栅周期相等；所述第一光栅及第二光栅均包括相邻相移设置的切趾段光栅，并且所述切趾段光栅的占空比逐渐变化以使所述相移光栅的折射率调制由两侧向相移逐渐减小。
2.根据权利要求1所述的非对称相移光栅，其特征在于，所述第一光栅及第二光栅的切趾段光栅的长度相同且折射率调制分布保持一致。
3.根据权利要求1所述的非对称相移光栅，其特征在于，所述第一光栅或第二光栅还包括有设置于切趾段光栅背离相移一侧的均匀段光栅，所述均匀段光栅的占空比为一恒定值a，0<a<1.0，其中：
当均匀段光栅的占空比为一恒定值a，0<a<0.5时，所述切趾段光栅的占空比自相移向两侧沿光栅轴向由0逐渐增大到a；
当均匀段光栅的占空比为一恒定值a，a=0.5时，所述切趾段光栅的占空比自相移向两侧沿光栅轴向由0逐渐增大到0.5或由1.0逐渐减小到0.5；
当均匀段光栅的占空比为一恒定值a，0.5<a<1时，所述切趾段光栅的占空比自相移向两侧沿光栅轴向由1.0逐渐减小到a。
4.一种DFB半导体激光器，所述DFB半导体激光器包括DFB激光腔及位于DFB激光腔上方和下方的若干外延层，DFB激光腔包括依次设置的光栅刻蚀阻止层、相移光栅、光栅覆盖层，其特征在于，所述相移光栅包括相移及位于相移两侧的第一光栅和第二光栅，第一光栅和第二光栅的刻蚀深度相同且光栅周期相等，所述第一光栅的长度大于第二光栅；所述第一光栅及第二光栅均包括相邻相移设置的切趾段光栅，并且所述切趾段光栅的占空比逐渐变化以使所述相移光栅的折射率调制由两侧向相移逐渐减小。
5.根据权利要求4所述的DFB半导体激光器，其特征在于，所述第一光栅及第二光栅的切趾段光栅的长度相同且折射率调制分布保持一致。
6.根据权利要求4所述的DFB半导体激光器，其特征在于，所述第一光栅或第二光栅还包括有设置于切趾段光栅背离相移一侧的均匀段光栅，所述均匀段光栅的占空比为一恒定值a，0<a<1.0，其中：
当均匀段光栅的占空比为一恒定值a，0<a<0.5时，所述切趾段光栅的占空比自相移向两侧沿光栅轴向由0逐渐增大到a；
当均匀段光栅的占空比为一恒定值a，a=0.5时，所述切趾段光栅的占空比自相移向两侧沿光栅轴向由0逐渐增大到0.5或由1.0逐渐减小到0.5；
当均匀段光栅的占空比为一恒定值a，0.5<a<1.0时，所述切趾段光栅的占空比自相移向两侧沿光栅轴向由1.0逐渐减小到a。
7.根据权利要求4所述的DFB半导体激光器，其特征在于，所述DFB半导体激光器的两侧端面均镀有抗反射膜。
8.根据权利要求4所述的DFB半导体激光器，其特征在于，所述DFB半导体激光器为掩埋异质结型激光器或脊波导型激光器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州旭创科技有限公司，未经苏州旭创科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611112090.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
