[发明专利]一种存储芯片性能的测试方法和装置在审

专利信息
申请号: 201611110791.9 申请日: 2016-12-06
公开(公告)号: CN108154904A 公开(公告)日: 2018-06-12
发明(设计)人: 冯颖俏 申请(专利权)人: 北京京存技术有限公司
主分类号: G11C29/56 分类号: G11C29/56
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆;胡彬
地址: 100176 北京市大兴区*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种存储芯片性能的测试方法及装置。该方法包括:向待测试存储芯片执行设定数量的全盘写入和读取操作;在全盘写入的过程中,对待测试存储芯片所包括的每个存储单元,进行擦除次数计数并记录;在全盘读取之后,将读取数据与写入数据进行比对,以记录每个存储单元的错误位数;在全盘写入和读取的过程中,记录写入性能参数和读取性能参数;重复执行上述测试过程,直至所述待测试存储芯片老化失效。通过本发明的技术方案,能够对存储芯片的老化性能进行有效测试。
搜索关键词: 存储芯片 测试 读取 写入 存储单元 记录 测试方法及装置 方法和装置 测试过程 错误位数 读取操作 读取性能 老化性能 写入数据 写入性能 有效测试 重复执行 比对 擦除 老化
【主权项】:
一种存储芯片性能的测试方法,其特征在于,包括:向待测试存储芯片执行设定数量的全盘写入和读取操作;在全盘写入的过程中,对待测试存储芯片所包括的每个存储单元,进行擦除次数计数并记录;在全盘读取之后,将读取数据与写入数据进行比对,以记录每个存储单元的错误位数;在全盘写入和读取的过程中,记录写入性能参数和读取性能参数;重复执行上述测试过程,直至所述待测试存储芯片老化失效。
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