[发明专利]一种存储芯片性能的测试方法和装置

说明书

本发明公开了一种存储芯片性能的测试方法及装置。该方法包括：向待测试存储芯片执行设定数量的全盘写入和读取操作；在全盘写入的过程中，对待测试存储芯片所包括的每个存储单元，进行擦除次数计数并记录；在全盘读取之后，将读取数据与写入数据进行比对，以记录每个存储单元的错误位数；在全盘写入和读取的过程中，记录写入性能参数和读取性能参数；重复执行上述测试过程，直至所述待测试存储芯片老化失效。通过本发明的技术方案，能够对存储芯片的老化性能进行有效测试。

技术领域

本发明实施例涉及存储芯片检测技术，尤其涉及一种存储芯片性能的测试方法和装置。

背景技术

存储芯片是目前各种数据处理设备中常用的存储工具，其写入性能往往是人们直接关注的。存储芯片的老化性能，随着存储芯片的长期使用，也逐渐成为人们关注的热点。但是现有技术还不存在对存储芯片老化性能的测试方法。

发明内容

本发明实施例提供一种存储芯片性能的测试方法和装置，以对存储芯片的老化性能进行有效测试。

第一方面，本发明实施例提供了一种存储芯片性能的测试方法，包括：

向待测试存储芯片执行设定数量的全盘写入和读取操作；

在全盘写入的过程中，对待测试存储芯片所包括的每个存储单元，进行擦除次数计数并记录；

在全盘读取之后，将读取数据与写入数据进行比对，以记录每个存储单元的错误位数；

在全盘写入和读取的过程中，记录写入性能参数和读取性能参数；

重复执行上述测试过程，直至所述待测试存储芯片老化失效。

进一步的，写入性能参数为写入速度；读取性能参数为读出速度。

进一步的，所述设定数量为500次。

进一步的，向待测试存储芯片执行设定数量的全盘写入操作的数据相对于所述待测试存储芯片为随机变化数据。

第二方面，本发明实施例还提供了一种存储芯片性能的测试装置，该装置包括：

读写模块，用于向待测试存储芯片执行设定数量的全盘写入和读取操作；

擦除模块，用于在全盘写入的过程中，对待测试存储芯片所包括的每个存储单元，进行擦除次数计数并记录；

错误记录模块，用于在全盘读取之后，将读取数据与写入数据进行比对，以记录每个存储单元的错误位数；

参数记录模块，用于在全盘写入和读取的过程中，记录写入性能参数和读取性能参数；

重复模块，用于重复执行上述测试过程，直至所述待测试存储芯片老化失效。

进一步的，写入性能参数为写入速度；读取性能参数为读出速度。

进一步的，所述设定数量为500次。

进一步的，向待测试存储芯片执行设定数量的全盘写入操作的数据相对于所述待测试存储芯片为随机变化数据。

本发明通过向待测试存储芯片执行设定数量的全盘写入和读取操作；在全盘写入的过程中，对待测试存储芯片所包括的每个存储单元，进行擦除次数计数并记录；在全盘读取之后，将读取数据与写入数据进行比对，以记录每个存储单元的错误位数；在全盘写入和读取的过程中，记录写入性能参数和读取性能参数；重复执行上述测试过程，直至所述待测试存储芯片老化失效，能够对存储芯片的老化性能进行有效测试。

附图说明

图1是本发明实施例一中的一种存储芯片性能的测试方法的流程图；

图2是本发明实施例二中的一种存储芯片性能的测试装置的结构示意图。