[发明专利]c轴高度取向的钛酸钡薄膜及其在中低温下的原位制法

摘要

本发明公开了一种c轴高度取向的钛酸钡薄膜及其在中低温下的原位制法，其中，一种c轴高度取向的钛酸钡薄膜包括由下至上依次设置的底电极、钛酸钡介电层以及顶电极；其中，所述底电极为导电金属薄膜，厚度约为60～150nm；所述钛酸钡介电层厚度为100～3000nm；所述顶电极为金属薄膜点电极，其直径为20‑500μm。本发明制备出的钛酸钡薄膜呈c轴高度取向，经性能测试，所得薄膜的铁电性能和压电性能优异，其剩余极化强度约为2.6μC/cm2，矫顽场100KV/cm；压电常数d33高达150pm/V；介电常数在350℃原位制备的钛酸钡薄膜中，仍然高达110±5，而且介电损耗在1 kHz到2 MHz的频率区间内，被控制在0.7%和3%之间。

主权项

一种c轴高度取向的钛酸钡薄膜，其特征在于，包括由下至上依次设置的底电极、钛酸钡介电层以及顶电极；其中，所述底电极为导电金属薄膜，厚度约为60～150nm；所述钛酸钡介电层厚度为100～3000nm；所述顶电极为金属薄膜点电极，其直径为20‑500μm。