[发明专利]一种用于智能功率芯片的温度迟滞保护电路

摘要

本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种新型智能功率芯片温度迟滞保护电路。本发明的一种新型温度滞回的保护电路，其特征包含了温度过热信号时输出以及温度滞回重新开启，防止了热振荡的问题。与传统的结构比较，本发明增加了减法器结构，起到了隔离缓冲的作用，使信号抗干扰能力增强，同时增加了电路灵敏性。外部正反馈实现的迟滞比较器，使阈值电压更加精确，且容易实现。本发明尤其适用于功率集成电路中的对温度要求较高的保护。

主权项

一种用于智能功率芯片的温度迟滞保护电路，包括带隙基准单元和温度感应与迟滞模块；所述带隙基准单元包括第一绝缘栅双极P型晶体管MP1、第二绝缘栅双极P型晶体管MP2、第三绝缘栅双极P型晶体管MP3、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第一运算放大器A1、第一电阻R1和第二电阻R2；第一绝缘栅双极P型晶体管MP1的源极接电源，其栅极接第一运算放大器A1的输出端；第二绝缘栅双极P型晶体管MP2的源极接电源，其栅极接第一运算放大器A1的输出端；第三绝缘栅双极P型晶体管MP3的源极接电源，其栅极接第一运算放大器A1的输出端；第一运算放大器A1的同相输入端接第一绝缘栅双极P型晶体管MP1的漏极，第一运算放大器A1的反相输入端接第二绝缘栅双极P型晶体管MP2的漏极；第一三极管Q1的发射极接第一绝缘栅双极P型晶体管MP1漏极和第一运算放大器A1同相输入端的连接点，第一三极管Q1的集电极和基极接地；第二三极管Q2的发射极通过第一电阻R1后接第二绝缘栅双极P型晶体管MP2漏极和第一运算放大器A1反相输入端的连接点，第二三极管Q2的集电极和基极接地；第三三极管Q3的发射极通过第二电阻R2后接第三绝缘栅双极P型晶体管MP3的漏极，第三三极管Q3的集电极和基极接地；所述温度感应与迟滞模块包括第四绝缘栅双极P型晶体管MP4、第五绝缘栅双极P型晶体管MP5、第一绝缘栅双极N型晶体管MN1、第一比较器A2、第二比较器A3、第三电阻R3、输入电阻Ri、反馈电阻Rf、第一反相器INV1和第二反相器INV2；第四绝缘栅双极P型晶体管MP4的源极接电源，其栅极接第一运算放大器A1的输出端，其漏极通过第三电阻R3后接地；第五绝缘栅双极P型晶体管MP5的源极接电源，其栅极接第一运算放大器A1的输出端；第一绝缘栅双极N型晶体管MN1的漏极接第五绝缘栅双极P型晶体管MP5的漏极，第一绝缘栅双极N型晶体管MN1的栅极接第一反相器INV1的输出端，第一绝缘栅双极N型晶体管MN1的源极通过第三电阻R3后接地；第一比较器A2的同相输入端接第四绝缘栅双极P型晶体管MP4漏极、第三电阻R3和第一绝缘栅双极N型晶体管MN1源极的连接点，第一比较器A2的反相输入端与其输出端互连；第二比较器A3的同相输入端接第三绝缘栅双极P型晶体管MP3漏极和第二电阻R2的连接点，第二比较器A3的反相输入端通过输入电阻Ri后接第一比较器A2的输出端，第二比较器A3的反相输入端还通过反馈电阻Rf后与其输出端互连；第一反相器INV1的输入端接第二比较器A3的输出端，第二反相器INV2的输入端接第一反相器INV1的输出端，第二反相器INV2的输出端为温度迟滞保护电路的输出端。