[发明专利]一种SOI像素探测器结构

摘要

本发明公开了一种SOI像素探测器结构，由一种SOI像素探测器结构，包括低阻硅层、埋氧层、栅氧化层、高阻n型衬底、埋p阱、埋n阱、p型探测阱、埋n阱引出电极、传输门电极、p型探测阱读出电极和背部电极组成；其中，低阻硅层(电路层)与高阻n型衬底由埋氧层隔开；埋n阱被更加深的埋p阱包围，整个高阻n型衬底耗尽形成电荷灵敏区。该结构埋n阱连接一个适当的电压可以屏蔽衬底电压对电路层的影响；较大的埋p阱形成一个大的电荷收集和储存区域，而较小的p型探测阱作为探测区，与读出电极相连，从而降低SOI像素探测器敏感节点电容。

主权项

一种SOI像素探测器结构，包括低阻硅层(301)、埋氧层(302)、栅氧化层(302a)、高阻n型衬底(303)、埋p阱(304)、埋n阱(305)、p型探测阱(306)、埋n阱引出电极(307)、传输门电极(308)、p型探测阱读出电极(309)和背部电极(310)；其特征在于：所述的低阻硅层(301)与高阻n型衬底(303)由埋氧层(302)隔开；高阻n型衬底(303)上设有三个埋氧层(302)，三个埋氧层(302)中间通过传输门电极(308)隔开，低阻硅层(301)设置在两侧埋氧层(302)的上方；两个埋氧层(302)下方分别设有反偏埋n阱(305)；反偏埋n阱(305)被埋p阱(304)包围；引出电极(307)穿过低阻硅层(301)、埋氧层(302)连接埋n阱，以屏蔽衬底(303)与电路层(301)之间影响及反偏埋n阱(305)与埋p阱(304)之间形成的二极管；p型探测阱(306)设置在两个埋氧层(302)的下方，p型探测阱(306)设置在中间的埋氧层(302)下方，读出电极(309)穿过埋氧层(302)连接p型探测阱，传输门电极(308)下方设有栅氧化层(302a)；高阻n型衬底(303)底部设有背部电极(310)。低阻硅层(301)与高阻n型衬底(303)由埋氧层(302)隔开；整个高阻n型衬底(303)耗尽为电荷灵敏区；埋氧层(302)下方埋n阱(305)被加深的埋p阱(304)包围；埋n阱引出电极(307)连接电压以屏蔽衬底(303)与电路层(301)之间影响及反偏埋n阱(305)与埋p阱(304)之间形成的二极管；两个p阱，即埋p阱(304)和p型探测阱(306)，前者用于电荷收集和储存，后者用于电荷探测，且两者之间存在防串通掺杂区。