[发明专利]真空装置、基片对准设备及形成预键合片的方法有效
| 申请号： | 201611089554.9 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108122808B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 高玉英;魏巍;霍志军 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种真空装置、基片对准设备及形成预键合片的方法，所述真空装置包括：上固定模块、下固定模块和真空模块，所述真空模块被设置成在上基片与下基片对准之后在上固定模块和下固定模块之间形成真空腔体；其中所述真空模块包括壳体、密封模块和真空接口，所述壳体具有一开口并被配置成开口向上地套设在上固定模块和下固定模块外侧，所述密封模块设置在上固定模块和壳体之间以密封上固定模块与壳体形成密封腔，所述真空接口贯穿设置在壳体的侧壁中并为密封腔提供真空输入形成真空腔体。本发明省去了两基片间的间隔片结构，避免了使用间隔片引入的一系列对准、键合误差。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 装置 对准 设备 形成 预键合片 方法 | ||
【主权项】：
一种基片对准设备，其特征在于，包括：上固定模块，用于固定上基片；下固定模块，用于固定下基片；以及，真空模块，在所述上基片与下基片对准之后在所述上固定模块和下固定模块之间形成真空腔体；其中所述真空模块包括壳体、密封模块和真空接口；所述壳体具有一开口并被配置成开口向上地套设在所述上固定模块和下固定模块外侧；所述密封模块设置在所述开口的内壁上，在所述上基片与下基片对准后使所述上固定模块和壳体之间密封形成密封腔；所述真空接口穿设于所述壳体的侧壁中，为所述密封腔提供真空输入形成真空腔体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海微电子装备（集团）股份有限公司，未经上海微电子装备（集团）股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611089554.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种晶圆承载盒、晶圆激光打标系统及方法
- 下一篇：基板处理系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
