[发明专利]金属栅极结构及其制备方法在审
申请号: | 201611076645.9 | 申请日: | 2016-11-30 |
公开(公告)号: | CN106340452A | 公开(公告)日: | 2017-01-18 |
发明(设计)人: | 鲍宇 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L29/423 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供的金属栅极及其制备方法,包括提供半导体衬底,半导体衬底包括第一区域和第二区域,第一区域具有第一伪栅极,第二区域具有第二伪栅极,第一伪栅极和第二伪栅极暴露在层间介质层外;去除第一伪栅极和第二伪栅极,分别形成第一沟槽与第二沟槽;在第一沟槽的侧壁和底壁形成第一功函数调节层;在第一沟槽的侧壁和底壁及第二沟槽的侧壁和底壁形成第二功函数调节层;对第二功函数调节层表面进行氮化处理,形成含氮阻挡层;在第一沟槽的侧壁和底壁形成第一浸润层,在第一沟槽中填充第一栅电极,在第二沟槽的侧壁和底壁形成第二浸润层,在第二沟槽中填充第二栅电极。本发明能够防止水氧进入第二功函数调节层及第一功函数调节层,提高器件性能。 | ||
搜索关键词: | 金属 栅极 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种金属栅极的制备方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底表面具有层间介质层,所述半导体衬底包括第一区域和第二区域,所述第一区域具有位于所述层间介质层中的第一伪栅极,所述第二区域具有位于所述层间介质层中的第二伪栅极,且所述第一伪栅极和所述第二伪栅极暴露在所述层间介质层外;去除所述第一伪栅极和所述第二伪栅极,分别形成第一沟槽与第二沟槽;在所述第一沟槽的侧壁和底壁形成第一功函数调节层;在所述第一沟槽的侧壁和底壁及所述第二沟槽的侧壁和底壁形成第二功函数调节层;对所述第二功函数调节层的表面进行氮化处理,形成一含氮阻挡层;在所述第一沟槽的侧壁和底壁形成第一浸润层,并在所述第一沟槽中填充第一栅电极,在所述第二沟槽的侧壁和底壁形成第二浸润层,并在所述第二沟槽中填充第二栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造