[发明专利]TFT基板及其制造方法及显示屏及挡板在审
| 申请号： | 201611062605.9 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN106384726A | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 来春荣 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司11315 | 代理人： | 许志勇 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种TFT基板的制造方法，包括步骤一，设置基板本体，在基板本体上形成图形化的有源层；步骤二，在有源层上形成第一栅绝缘层；步骤三，在位于像素区域的第一栅绝缘层上形成第二栅绝缘层；以及步骤四，在第二栅绝缘层和位于周边电路区域的第一栅绝缘层上均形成图形化的栅极。采用的方案中，像素区域形成第一栅绝缘层和第二栅绝缘层，周边电路区域形成第一栅绝缘层，可兼具降低像素区域的开态电流及保证周边电路区域有较大的电流，满足高像素产品对像素区域和周边电路区域电性的要求。本申请还公开一种TFT基板、显示屏和挡板。 | ||
| 搜索关键词： | tft 及其 制造 方法 显示屏 挡板 | ||
【主权项】：
一种TFT基板的制造方法，其特征在于，包括：步骤一，设置基板本体，在所述基板本体上形成图形化的有源层；步骤二，在所述有源层上形成第一栅绝缘层；步骤三，在位于像素区域的第一栅绝缘层上形成第二栅绝缘层；以及步骤四，在所述第二栅绝缘层和位于周边电路区域的第一栅绝缘层上均形成图形化的栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
