[发明专利]一种黄光倒装LED外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201611049180.8 | 申请日： | 2016-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN108091743A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 张雨;于军;邓桃;张新;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种黄光倒装LED外延结构及其制备方法，其结构包括由下而上依次设置的GaAs衬底、GaAs缓冲层、GaInP腐蚀阻挡层、GaAs欧姆接触层、AlGaInP粗化层、AlInP N限制层，AlGaInP N波导层、量子阱有源层、AlGaInP P波导层、AlInP P限制层和GaP窗口层，量子阱有源层为AlyGa1‑yInP大应变量子阱有源层，y为0.01‑0.5，应变量为10%‑35%，在GaP窗口层之上依次设置第一梯度高掺层、第二梯度高掺层和第三梯度高掺层；利用金属有机化学气相沉积法依次制备各层。本发明通过使用大应变多量子阱有源层，增加空穴在有源层俘获，有效提高电子空穴复合，得到较高的内量子效率。同时在GaP欧姆接触层之上实现三步梯度降温，增加有效的外量子效率，拓展高亮度黄光LED的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 量子阱有源层 依次设置 波导层 窗口层 大应变 限制层 倒装 黄光 制备 金属有机化学气相沉积法 多量子阱有源层 高亮度黄光LED 空穴 电子空穴复合 腐蚀阻挡层 内量子效率 欧姆接触层 外量子效率 梯度降温 制备各层 粗化层 应变量 俘获 衬底 源层 拓展 应用 | ||
【主权项】：
1.一种黄光倒装LED外延结构，包括由下而上依次设置的GaAs衬底、GaAs缓冲层、GaInP腐蚀阻挡层、GaAs欧姆接触层、AlGaInP粗化层、AlInP N限制层，AlGaInP N波导层、量子阱有源层、AlGaInP P波导层、AlInP P限制层和GaP窗口层，其特征是：量子阱有源层为Aly Ga1-y InP大应变量子阱有源层，y为0.01-0.5，应变量为10％-35％，在GaP窗口层之上依次设置第一梯度高掺层、第二梯度高掺层和第三梯度高掺层。
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